[發明專利]用于異物除去的涂膜形成用組合物

有效

• 申請號: 201880014924.3
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN110366768B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 岸岡高廣;田村護;臼井友輝;緒方裕斗
• 申請（專利權）人: 日產化學株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C09D179/08;C09D201/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 曾禎;段承恩

提供在半導體裝置制造工序中用于將在基板上形成的異物除去的簡便方法，提供在這樣的方法中使用的用于異物除去的涂膜形成用組合物。在半導體基板上，優選使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一個羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一個羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的組合物在基板上形成涂膜后，將在涂膜上存在的異物利用顯影液處理而與涂膜一起除去。

技術領域

本發明涉及能夠將在基板上形成的異物利用簡便方法除去的、用于異物除去的涂膜形成用組合物、基板上的異物除去方法、基板處理方法、疊層基板的制造方法。優選涉及在半導體裝置制造的半導體晶片暫時粘接工序中使用的、用于異物除去的涂膜形成用組合物。

背景技術

研究了在半導體裝置的制造中，特別是在所謂的后工序中，在將半導體用基板(晶片)粘貼于支持基板后，進行背面研磨(研削)、配線制作工序等，然后將支持基板剝離而獲得所希望的半導體基板的工序。

在對支持基板進行粘貼時，進行通過對之后的工序(加熱工序、化學溶液處理工序)具有耐性的粘接劑(包含聚合物的液狀組合物、背面研磨帶、切割帶等)粘貼晶片，然后將半導體基板剝離的工序，但此時粘接劑所包含的粘接層有時在基板上作為異物(殘渣)而殘留。這在基板上預先形成了配線等的半導體基板表面直接形成粘接層的情況下特別顯著地發生。

該異物即使通過公知的有機溶劑、液狀試劑等進行洗滌等，有時也不能完全除去。

公開了將支持基板與半導體晶片用粘接性組合物粘接，將半導體晶片的背面進行了研磨后將粘接劑用蝕刻液除去的方法(專利文獻1)。

在半導體光刻中使用的防反射膜中，公開了可以溶解于光致抗蝕劑用顯影液，與光致抗蝕劑同時進行顯影除去的防反射膜(專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特表2008-532313號公報

專利文獻2：國際公開第2005/022261號

發明內容

發明所要解決的課題

本發明所要解決的課題是提供例如在半導體裝置制造的半導體晶片暫時粘接工序中用于將在基板上形成的異物除去的簡便方法，并提供在這樣的方法中使用的用于異物除去的涂膜形成用組合物。

另外，本申請發明的用于異物除去的涂膜只要是用于除去基板上的異物即可，不限定于上述暫時粘接工序。

用于解決課題的方法

發明者們進行了深入研究，結果發現，如果將上述用于異物除去的涂膜在基板粘接面預先涂布燒成，形成涂膜后，進行粘接工序、晶片暫時粘貼工序和晶片剝離工序，然后利用顯影液進行洗滌，則粘接后的剝離殘渣能夠完全除去，并且也沒有基板的損傷，從而完成了本發明。

本發明包含以下方案。

[1]一種用于異物除去的涂膜形成用組合物，其包含聚合物和溶劑，并能夠形成溶解于顯影液的涂膜。

[2]根據[1]所述的組合物，上述聚合物為具有由(a)四羧酸二酐化合物、和(b)具有至少一個羧基的二胺化合物衍生的結構單元的聚酰胺酸。

[3]根據[1]所述的組合物，上述聚合物為具有由(a)四羧酸二酐化合物、和(b)具有至少一個羧基的二胺化合物衍生的結構單元、以及

由(a)四羧酸二酐化合物、和(c)與(b)不同的二胺化合物衍生的結構單元的聚酰胺酸。

[4]根據[3]所述的組合物，上述(c)二胺化合物為不具有羧基的二胺化合物。