[發明專利]表面處理了的碳納米結構體的制造方法有效
| 申請號： | 201880014646.1 | 申請日： | 2018-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN110366536B | 公開（公告）日： | 2022-11-08 |
| 發明（設計）人： | 川上修 | 申請（專利權）人： | 日本瑞翁株式會社 |
| 主分類號： | C01B32/174 | 分類號： | C01B32/174;C01B32/159 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 楊衛萍;劉繼富 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 處理 納米 結構 制造 方法 | ||
1.一種表面處理了的碳納米結構體的制造方法，包含：減壓處理工序，將包含碳納米結構體和分散介質的含有碳納米結構體的液體進行減壓；
表面處理工序，在所述減壓處理工序后或所述減壓處理工序中，向所述含有碳納米結構體的液體中添加氧化劑，使所述碳納米結構體的表面氧原子濃度為7.0at％以上，
在所述減壓處理工序中，實施1次以上如下操作：將所述含有碳納米結構體的液體減壓20分鐘以上，使壓力達到所述分散介質在減壓中的溫度下的蒸氣壓的2倍以下。
2.根據權利要求1所述的表面處理了的碳納米結構體的制造方法，其中，所述含有碳納米結構體的液體中的碳納米結構體的濃度為5質量％以下。
3.根據權利要求1或2所述的表面處理了的碳納米結構體的制造方法，其中，所述氧化劑為選自硝酸、硫酸、過氧化氫、臭氧、氧、過硫酸銨以及次氯酸鈉中的至少1種。
4.根據權利要求1或2所述的表面處理了的碳納米結構體的制造方法，其中，所述碳納米結構體的由吸附等溫線得到的t-曲線顯示上凸的形狀。
5.根據權利要求1或2所述的表面處理了的碳納米結構體的制造方法，其中，對于所述碳納米結構體，由吸附等溫線得到t-曲線，由t-曲線得到總比表面積S1以及內部比表面積S2，S1和S2滿足關系式：0.05≤S2/S1≤0.30。
6.根據權利要求1或2所述的表面處理了的碳納米結構體的制造方法，其中，所述碳納米結構體包含碳納米管。
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