[發(fā)明專利]半導(dǎo)體基板加工用粘合帶及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880014576.X
• 申請日: 2018-02-21
• 公開（公告）號: CN110352472B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長尾佳典
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/56
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 陳曦;向勇

1.一種半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其具備基材及被層疊在前述基材的一個表面的粘合層，并且其用于在沿厚度方向切斷半導(dǎo)體密封連接體而得到復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體密封體時，將前述半導(dǎo)體密封連接體在密封部與前述粘合層接觸的狀態(tài)下經(jīng)由前述粘合層臨時固定于前述基材，前述半導(dǎo)體密封連接體具備基板、被配置在前述基板上的復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體元件、及對前述復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封的密封部，

其特征在于，

前述粘合層含有剝離劑，該剝離劑用于使前述半導(dǎo)體密封體從該半導(dǎo)體基板加工用粘合帶剝離時降低前述粘合層與前述密封部的密合性，

前述密封部由含有含環(huán)氧基的化合物的密封材料構(gòu)成，

前述含環(huán)氧基的化合物在其分子結(jié)構(gòu)中具有雙鍵，

前述剝離劑為硅酮系油或氟系表面活性劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述剝離劑為前述硅酮系油，

前述硅酮系油為改性硅油。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述粘合層還含有具有粘合性的基礎(chǔ)樹脂。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述基礎(chǔ)樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-30℃以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述基礎(chǔ)樹脂的重均分子量為30萬以上且180萬以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述基礎(chǔ)樹脂的重均分子量為30萬以上且180萬以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述粘合層還含有因賦予能量而固化的固化性樹脂。

8.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述粘合層還含有因賦予能量而固化的固化性樹脂。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

在賦予前述能量之前，前述粘合層表面相對于十六烷的接觸角為20°以上。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

在賦予前述能量之前，前述粘合層表面相對于十六烷的接觸角為20°以上。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

在賦予前述能量之后，前述粘合層表面相對于十六烷的接觸角為10°以上。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

在賦予前述能量之后，前述粘合層表面相對于十六烷的接觸角為10°以上。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

在賦予前述能量之后，前述粘合層表面相對于十六烷的接觸角為10°以上。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

在賦予前述能量之后，前述粘合層表面相對于十六烷的接觸角為10°以上。

15.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4至7、9至14中任一項所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述粘合層的厚度為1μm以上且30μm以下。

16.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述粘合層的厚度為1μm以上且30μm以下。

17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體基板加工用粘合帶，其中，

前述粘合層的厚度為1μm以上且30μm以下。