[發明專利]高頻模塊

有效

• 申請號: 201880014194.7
• 申請日: 2018-08-06
• 公開（公告）號: CN110337759B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 三木健一
• 申請（專利權）人: 株式會社友華
• 主分類號: H01Q23/00
• 分類號: H01Q23/00;G01S7/03;H01P1/203;H01P5/02;H01P7/10
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;孫明軒

1.一種高頻模塊，其特征在于，具備：

雙極性晶體管，其具有第一端子、第二端子以及第三端子；

共振圖案，其與所述第一端子連接，并通過直接振蕩而輸出頻率為準毫米波帶以上的信號；和

面狀的開放傳送線路，其與所述第二端子連接，并作為能夠收發所述頻率的信號的天線而工作，

所述第一端子與所述第二端子的端子間電容相對地大于所述第一端子與所述第三端子的端子間電容、以及所述第二端子與所述第三端子的端子間電容，

當對所述第三端子供給有電源時在所述開放傳送線路內傳送的所述信號的一部分經由所述第一端子與所述第二端子的靜電電容而反饋至所述第一端子，

所述高頻模塊還具備：

濾波圖案，其一端與所述第二端子連接；和

匹配用開路短截線，其嵌插于所述第二端子與所述濾波圖案之間，

所述濾波圖案的另一端接地，

所述開放傳送線路與所述第一端子電容耦合。

2.根據權利要求1所述的高頻模塊，其特征在于，還具備嵌插于所述第三端子與所述電源之間的開路短截線，

所述開路短截線抑制相鄰的導電體之間的寄生電容的增加，并且使準毫米波帶以上的所述頻率寬帶域化。

3.根據權利要求1所述的高頻模塊，其特征在于，所述開放傳送線路發射所述信號，并且接收所述信號由對象物反射的反射波。

4.根據權利要求3所述的高頻模塊，其特征在于，還具備兩個二極管，其與所述開放傳送線路的開放端連接，并在不同的位置上對所述反射波進行零差檢測。

5.根據權利要求4所述的高頻模塊，其特征在于，所述兩個二極管由將兩個端子連接的所述雙極性晶體管構成。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的高頻模塊，其特征在于，所述雙極性晶體管為三端子型晶體管。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的高頻模塊，其特征在于，所述雙極性晶體管是兩個端子構成發射極或者源極的四端子型晶體管，將發射極或者源極端子的一端開放，而構成為三端子型晶體管。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的高頻模塊，其特征在于，收納于金屬殼體，該金屬殼體在面對所述開放傳送線路的部位上，開口有規定尺寸的窗口。

9.一種高頻模塊，其特征在于，具備：

基板；

多個導電膜圖案，其形成于所述基板的表面；和

雙極性晶體管，其安裝于所述基板，且具有發射極、集電極以及基極，

所述多個導電膜圖案包括：

第一導電膜圖案，其與所述基極導通，且包含通過直接振蕩而輸出頻率為準毫米波帶以上的信號的共振圖案；

第二導電膜圖案，其與所述集電極導通，并與電源相連；和

第三導電膜圖案，其與所述發射極導通，并包含接地的濾波圖案和面狀的開放傳送線路，該面狀的開放傳送線路作為能夠收發頻率為準毫米波帶以上的所述信號的天線而工作，并與所述基極電容耦合，

在所述開放傳送線路內傳送的所述信號的一部分，經由通過跟所述開放傳送線路與所述基極之間的端子間電容發生電容耦合所產生的靜電電容而反饋至所述基極。

10.根據權利要求9所述的高頻模塊，其特征在于，

所述開放傳送線路以能夠發射頻率為準毫米波帶以上的所述信號并且能夠接收所述信號由對象物反射的反射波的尺寸形成，

在所述開放傳送線路的開放端隔著規定的間隔連接有兩個二極管，

各二極管通過分別在不同的相位對所述反射波進行零差檢測，而輸出能夠識別所述對象物的運動方向的多普勒信號。

11.根據權利要求9所述的高頻模塊，其特征在于，

所述第一導電膜圖案以及所述第二導電膜圖案是在所述信號的頻率下的阻抗比在除此之外的頻率下的阻抗大的圖案。