[發明專利]包括多個VCSEL的光源陣列

有效

• 申請號: 201880013193.0
• 申請日: 2018-02-14
• 公開（公告）號: CN110301076B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: R.恩格倫;N.B.普費弗;A.范德西伊德
• 申請（專利權）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/42;H01S5/183;H01S5/022
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李熙;閆小龍

1.一種光源陣列（1），包括在襯底（3）之上彼此橫向布置的多個VCSEL（2），其中每個VCSEL（2）包括由不發射光的電極結構（22）包圍的發光區域（21），其中遮擋層（4）被涂敷在至少所述電極結構（22）之上，所述遮擋層（4）僅覆蓋所述電極結構（22）的面向所述VCSEL（2）的一般發光方向（5）的表面（22s），所述遮擋層（4）是不透明層，并且被適配為將不發射光的關閉狀態下的所述陣列（1）與所述光源陣列（1）要被安裝于其中的設備（10）的外殼（11）的外表面（11s）光學匹配。

2.根據權利要求1所述的光源陣列（1），其中所述電極結構（22）的所有可見表面（22s、22l）被所述遮擋層（4）涂覆。

3.根據權利要求1所述的光源陣列（1），其中所述光源陣列（1）包括相鄰VCSEL（2）之間的非有源區域（6），其中所述遮擋層（4）也覆蓋所述非有源區域（6）。

4.根據權利要求3所述的光源陣列（1），其中所述非有源區域（6）限定相鄰VCSEL（2）之間的體積（61），其中至少所述體積（61）被填充物材料（7）適當地填充，以在相鄰VCSEL（2）之間提供待被涂覆有所述遮擋層（4）的平坦表面（71）。

5.根據權利要求4所述的光源陣列（1），其中所述填充物材料（7）是光致抗蝕劑材料。

6.根據權利要求4所述的光源陣列（1），其中所述填充物材料（7）將至少一個體積（61）填充到所述襯底（3）上方的所述相鄰VCSEL（2）的所述電極結構（22）的最高距離（D1）。

7.根據前述權利要求中任一項所述的光源陣列（1），其中所述遮擋層（4）具有可見波長范圍內的吸收或反射光譜，所述吸收或反射光譜與所述電極結構（22）的材料的對應吸收或反射光譜不同。

8.根據權利要求7所述的光源陣列（1），其中所述電極結構（22）的所述材料是金。

9.一種設備（10），包括至少一個根據權利要求1所述的光源陣列（1）和具有外表面（11s）的外殼（11），其中所述遮擋層（4）將關閉狀態下的所述陣列（1）與所述外表面（11s）光學匹配。

10.一種用來制造根據權利要求1所述的光源陣列（1）的方法（100），包括以下步驟：

-以橫向陣列（1）在襯底（3）之上布置（110）多個VCSEL（2），其中每個VCSEL（2）包括由不發射光的電極結構（22）包圍的發光區域（21）；

-至少在所述電極結構（22）之上涂敷（140）作為不透明層的遮擋層（4），所述遮擋層（4）僅覆蓋所述電極結構（22）的面向所述VECSEL（2）的一般發光方向（5）的表面（22s），以便將關閉狀態下的所述陣列（1）與所述光源陣列（1）要被安裝于其中的設備（10）的外殼（11）的外表面（11s）光學匹配。

11.根據權利要求10所述的方法（100），其中在涂敷（140）所述遮擋層（4）的步驟之前，所述方法還包括以下步驟：

-在涂敷（140）所述遮擋層之前，利用光致抗蝕劑材料覆蓋（120）所述發光區域（21）；和

-在已經涂敷所述遮擋層之后，清洗掉（160）覆蓋所述發光區域（21）的光致抗蝕劑層，以便去除所述發光區域（21）之上的任何材料。

12.根據權利要求10或11所述的方法（100），其中涂敷（140）所述遮擋層（4）的步驟還將涂覆位于相鄰VCSEL（2）之間的所述陣列（1）內的非有源區域（6）。