[發明專利]具有提高的效率的太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201880010352.1
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN110249240A
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 哈羅爾德·弗蘭克·格里爾;里恩·拉希德·卡帕迪亞;里安·莫羅·布里格斯
• 申請（專利權）人: 納米清潔技術有限公司
• 主分類號: G02B1/11
• 分類號: G02B1/11;H01L31/0236;B82Y30/00;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高世豪;蔡勝有

1.一種結構，包括：

被配置成吸收第一波長范圍內的電磁輻射的太陽能電池板；和

附接在所述太陽能電池板的頂部表面上的頂部結構，所述頂部表面朝向入射電磁輻射定向，所述頂部結構被配置成吸收第二波長范圍內的電磁輻射，所述第二波長范圍包括比所述第一波長范圍更短的波長。

2.根據權利要求1所述的結構，還包括附接在所述太陽能電池板的底部表面上的底部結構，所述底部表面與所述頂部表面相反，所述底部結構被配置成吸收第三波長范圍內的電磁輻射，所述第三波長范圍包括比所述第一波長范圍更長的波長。

3.一種結構，包括：

被配置成吸收第一波長范圍內的電磁輻射的太陽能電池板，所述太陽能電池板具有朝向入射電磁輻射定向的頂部表面，和與所述頂部表面相反的底部表面；

附接至所述太陽能電池板的所述底部表面的底部結構，所述底部結構被配置成吸收第二波長范圍內的電磁輻射，所述第二波長范圍包括比所述第一波長范圍更長的波長。

4.根據權利要求1所述的結構，其中所述頂部結構包括第一電極、半導體顆粒的層和第二電極。

5.根據權利要求2所述的結構，其中所述頂部結構包括第一電極、半導體顆粒的第一層和第二電極，所述底部結構包括第三電極、半導體顆粒的第二層和第四電極。

6.根據權利要求3所述的結構，其中所述底部結構包括第一電極、半導體顆粒的層和第二電極。

7.根據權利要求4所述的結構，還包括各自在所述半導體顆粒的層的相反側上的電子傳輸層和空穴傳輸層。

8.根據權利要求5所述的結構，還包括各自在所述半導體顆粒的第一層的相反側上的第一電子傳輸層和第一空穴傳輸層；以及各自在所述半導體顆粒的第二層的相反側上的第二電子傳輸層和第二空穴傳輸層。

9.根據權利要求6所述的結構，還包括各自在所述半導體顆粒的層的相反側上的電子傳輸層和空穴傳輸層。

10.根據權利要求8所述的結構，其中：

所述第一電子傳輸層和所述第二電子傳輸層選自：TiO₂、WO₃、PbO、MnTiO₃、SnO₂、In₂O₃、Ca、LiF_x、CsF_x、KF_x、CsO_x、MgF_x和LaB₆，

所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層選自：GaP、AlSb、ZnTe、NiO、AlCuO₂、MoO_x、WO_x、CuPc、CuSCN、CuO_x:N和V₂O_x，

所述半導體顆粒的第一層選自：

InGaP、CdSe、CdZnTe、AlGaAs、CdSTe、CdSSe、CsPbCl、CsPbBr和CsPbI，以及

所述半導體顆粒的第二層選自：PbS、PbSe、PbTe、HgS、HgCdTe、HgCdSe、Bi₂Se₃、Ge、GaSb和InGaAs。

11.根據權利要求10所述的結構，其中所述底部結構還包括在所述第四電極下方的光子管理層，所述光子管理層包括復數個三維要素，所述復數個三維要素具有被配置成增加入射電磁輻射朝向所述半導體顆粒的第二層返回的散射的橫向尺寸、高度和間隔。

12.根據權利要求11所述的結構，其中所述三維要素具有三角形或矩形截面。