[發明專利]制造六方晶體結構的二維膜的方法

有效

• 申請號: 201880009436.3
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN110234800B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 布魯諾·吉瑟蘭;J-M·貝斯奧謝
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;C30B23/02;C30B23/04;C30B25/18;C30B29/02;C30B33/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李棟修;龐東成

1.制造具有六方晶體結構的第IV族材料的二維膜(3)的方法，所述方法包括：

-形成生長襯底(100)，其包括將適合所述二維膜生長的單晶金屬膜(1)轉移到支持襯底(2)上，和

-在所述生長襯底(100)的金屬膜上外延生長所述二維膜(3)，

其中，所述金屬膜(1)的厚度為1μm以下。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述金屬膜(1)的厚度為0.1μm以下。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述金屬膜(1)包含至少一種下述金屬：鎳、銅、鉑、鈷、鉻、鐵、鋅、鋁、銥、釕、銀。

4.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述支持襯底(2)是石英、石墨、硅、藍寶石、陶瓷、氮化物、碳化物、氧化鋁或金屬襯底。

5.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述支持襯底(2)相對于所述二維膜的材料的熱膨脹系數差小于所述金屬膜和所述二維膜之間的熱膨脹系數差。

6.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，轉移所述金屬膜(1)的步驟包括：

-提供單晶金屬供體襯底(11)，

-組裝所述供體襯底(11)和所述支持襯底(2)，

-將所述供體襯底(11)薄化從而將所述金屬膜轉移到所述支持襯底(2)上。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述單晶金屬供體襯底(11)通過拉錠得到。

8.如權利要求6所述的方法，所述方法還包括在所述供體襯底(11)中形成脆化區(12)從而界定要轉移的單晶金屬膜(1)的步驟，并且其中將所述供體襯底薄化的步驟包括沿所述脆化區(12)剝離所述供體襯底(11)。

9.如權利要求8所述的方法，其中，通過在所述供體襯底中注入原子物種而形成所述脆化區(12)。

10.如權利要求6所述的方法，其中，組裝所述供體襯底(11)和所述支持襯底(2)通過鍵合進行。

11.如權利要求6所述的方法，其中，組裝所述供體襯底(11)和所述支持襯底(2)通過在所述供體襯底(11)上沉積所述支持襯底(2)而進行。

12.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述單晶金屬膜(1)為各自轉移到所述支持襯底(2)上的多個塊(10)的形式。

13.如權利要求10所述的方法，其中，所述單晶金屬膜(1)為各自轉移到所述支持襯底(2)上的多個塊(10)的形式。

14.如權利要求13所述的方法，其中，每個塊(10)具有與所述供體襯底(11)相同的表面積，所述表面積小于所述支持襯底(2)的表面積。

15.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述生長襯底(100)包括可除去界面。

16.如權利要求15所述的方法，其中，所述界面(I)構造為通過激光剝離拆解。

17.如權利要求15所述的方法，其中，所述界面(I)構造為通過化學蝕刻拆解。

18.如權利要求15所述的方法，其中，所述界面(I)構造為通過機械負荷拆解。

19.如權利要求1至3中任一項所述的方法，所述方法包括：在生長所述二維膜(3)之后使所述二維膜(3)與所述生長襯底(100)分離的步驟。