[發明專利]直接轉換化合物半導體切片結構

有效

• 申請號: 201880008982.5
• 申請日: 2018-01-25
• 公開（公告）號: CN110291424B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 阿爾西·斯唐
• 申請（專利權）人: 芬蘭探測技術股份有限公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;H01L27/146
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋融冰

1.一種基于直接轉換化合物半導體的設備，包括：

直接轉換化合物半導體層（101），被構造為將x射線或伽馬射線光子轉換成電流；

集成電路（IC）層（102），設置為相對于z軸緊鄰所述直接轉換化合物半導體層，并且被構造為接收所述電流并處理所述電流；以及

基板層（103），設置為相對于所述z軸緊鄰所述集成電路層，并且被構造為傳導從所述集成電路層發射出的熱量；其中所述基板層包括位于所述基板層的截面的下方角部處的凹陷部（104）；以及其中所述基板層進一步包括位于所述下方角部之間的滑動電接觸（117），所述滑動電接觸經由所述基板層而連接至所述集成電路層，以接收處理后的電流；

所述設備還包括裝配型架（105），其中所述裝配型架包括附加的凹陷部（106），每個附加的凹陷部被構造為接收處于與所述附加的凹陷部相同的水平面的所述基板層的最下部分，并且位于所述附加的凹陷部上方的所述基板層的上部安置于所述裝配型架的表面上。

2.如權利要求1所述的設備，其中所述凹陷部被配置到所述基板層的所述截面的最下角部。

3.如權利要求1或2所述的設備，其中所述凹陷部被構造為對于具有所述直接轉換化合物半導體層、所述集成電路層和所述基板層的所述設備的截面而言形成T形。

4.如權利要求1或2所述的設備，其中與所述凹陷部緊鄰的所述基板層的材料包括導熱材料。

5.如權利要求1所述的設備，其中所述裝配型架還包括位于所述附加的凹陷部的底部處的彈性力加載的電連接（107），

其中所述彈性力加載的電連接被構造為當所述基板層的所述最下部分進入所述裝配型架的所述附加的凹陷部并且所述基板層的所述上部安置于所述裝配型架的所述表面上時，與所述滑動電接觸進行接觸。

6.如權利要求5所述的設備，其中當所述設備沿x軸和y軸方向滑動時，能夠保持所述基板層的所述滑動電接觸與所述彈性力加載的電連接之間的所述接觸。

7.如權利要求1或2所述的設備，其中所述裝配型架還包括在所述裝配型架的頂部表面上與所述附加的凹陷部緊鄰的細長粘附帶（115）。

8.如權利要求7所述的設備，其中安置于所述粘附帶上的所述基板層的所述凹陷部（104）的表面粘附到所述粘附帶。

9.如權利要求7所述的設備，其中所述粘附帶的粘附力低，使得可在不損壞任意層和所述裝配型架的情況下拆除所述基板層。

10.如權利要求1或2所述的設備，其中所述直接轉換化合物半導體層包括碲化鎘或碲化鎘鋅。

11.如權利要求1或2所述的設備，其中所述設備包括切片。

12.如權利要求11所述的設備，其中所述切片能夠滑動以相對于至少一個相鄰的切片定位所述切片。

13.一種檢測器，包括根據權利要求11或12所述的設備的所述切片的陣列。

14.一種成像系統，包括：

高能輻射源；

根據權利要求13所述的檢測器。