[發明專利]有機電致發光器件

在審

• 申請號: 201880008450.1
• 申請日: 2018-02-27
• 公開（公告）號: CN110268544A
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 伊洛娜·施滕格爾;弗蘭克·福格斯;特雷莎·穆希卡-費爾瑙德;亨寧·塞姆
• 申請（專利權）人: 默克專利有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 郭國清;宮方斌

本發明涉及有機電致發光器件和有機電致發光器件的制造方法，所述有機電致發光器件包括包含金屬絡合物作為主要組分的空穴注入層。

本申請涉及包含空穴注入層的有機電致發光器件(OLED)以及制備所述有機電致發光器件的方法，所述空穴注入層包含鉍或鎵絡合物作為主要組分。

其中有機半導體用作功能材料的OLED的結構是公知的。通常，OLED包括陽極、陰極和有機發光單元。最后一個包括多個功能層，例如空穴或電子注入層，空穴或電子傳輸層和有機發光層。

在OLED的情況下，對改善性能數據，特別是壽命、效率和工作電壓具有相當大的興趣。

OLED的效率和壽命尤其由器件中電子和空穴的電荷-載流子平衡來確定。通過器件中的電荷-載流子分布和相關的場分布建立這種平衡。

有效的空穴注入是OLED制造中的主要挑戰。常用的透明陽極材料氧化銦錫的逸出功的絕對值通常低于常見空穴傳輸材料的最高占據分子軌道(HOMO)能量的絕對值。

因此，對于向空穴傳輸層中的空穴注入存在障礙，這導致OLED的工作電壓增加。通常通過用p型摻雜劑摻雜空穴傳輸層(例如，像WO 2014/056565中那樣)或者通過在陽極和空穴傳輸層之間施加受體層(例如，像WO 2001/49806中那樣)來處理這一問題。p型摻雜劑是摻雜劑，因此它代表在相應層中以較低量存在的組分(或組分之一)。

金屬絡合物，特別是鉍絡合物(例如，如WO2013/182389中所述)最近已經顯示有效地用作p型摻雜劑。

從現有技術中已知使用空穴注入層代替p摻雜層(例如在WO 2001/49806中)。例如，由HATCN組成的空穴注入層(如WO 2001/49806中所述)是眾所周知的。

然而，仍然需要當在OLED中使用時導致工作電壓降低的新的空穴注入體系。工作電壓的降低進而導致OLED在壽命和效率方面具有更好的性能。

出人預料地，現在已經發現，可以使用鉍或鎵絡合物的薄層作為OLED中的空穴注入層，以有效地降低OLED的工作電壓。同時，金屬絡合物的所需量比當所述金屬絡合物用作厚層中的p型摻雜劑時更小。此外，當金屬絡合物通過蒸發工藝沉積為純空穴注入層時，OLED的制造被簡化，因為僅需要一個蒸發源。

因此，本申請涉及一種有機電致發光器件，其包括：

陰極；

陽極；

設置在陰極和陽極之間的至少一個發光層；

設置在陽極和所述至少一個發光層之間的至少一個空穴傳輸層；和

設置在陽極和所述至少一個空穴傳輸層之間的至少一個空穴注入層，

其中基于所述空穴注入層的總重量，所述至少一個空穴注入層包含至少90重量％的至少一種鉍或鎵絡合物，

其中通過循環伏安法測定的鉍或鎵絡合物的還原電位相對于Fc/Fc⁺高于或等于-3.5V且低于或等于0.5V。

根據本發明的有機電致發光器件包括至少一個空穴注入層。用于本發明目的的空穴注入層是指簡化或促進空穴即正電荷從陽極向有機層中轉移的層。

根據一個優選的實施方案，基于空穴注入層的總重量，所述至少一個空穴注入層包含至少95重量％，更優選至少99重量％的至少一種鉍或鎵絡合物。特別優選地，所述至少一個空穴注入層由至少一種鉍或鎵絡合物的純層組成。