[發明專利]非易失性閃存存儲器單元

有效

• 申請號: 201880004609.2
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN110024084B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 索努·達里亞納尼;博米·陳;梅爾·海馬斯
• 申請（專利權）人: 密克羅奇普技術公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423;H01L29/66
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

1.一種用于在基板上制造閃存存儲器設備的方法，所述方法包括：

制備具有用于限定和分離有源部分的淺溝槽隔離的基板；

在所制備的基板上沉積浮柵氧化物層；

在所述浮柵氧化物層上沉積浮柵多晶硅層；

對所述浮柵多晶硅層進行拋光以隔離所述基板的所述有源部分上方的一對浮柵結構；

在所述浮柵結構頂部上沉積氮化硅層；

圖案化并蝕刻所述氮化硅層以形成氮化硅特征部；

將氧化物側壁間隔物沉積到所述氮化硅特征部的橫向側壁上，每一氧化物側壁間隔物具有橫向寬度；

在所述浮柵結構之間將源極結植入所述基板中；

在除了所述氧化物側壁間隔物下方的區域之外的地方移除所述浮柵多晶硅層的部分，借此在每一氧化物側壁間隔物下方界定垂直伸長的浮柵，每一垂直伸長的浮柵具有與所述垂直伸長的浮柵上方的所述氧化物側壁間隔物的所述橫向寬度相對應的橫向寬度；

移除所述氧化物側壁間隔物；

在所述垂直伸長的浮柵頂部上沉積內多晶硅層；

在所述內多晶硅層頂部上沉積第二多晶硅層；以及

圖案化并蝕刻所述第二多晶硅層以將所述第二多晶硅層分離成字線設備和擦除柵。

2.根據權利要求1所述的方法，其中圖案化并蝕刻所述氮化硅層包括：

在所述氮化硅層上沉積光致抗蝕劑層；

圖案化所述光致抗蝕劑層；以及

蝕刻所述氮化硅層上被所述光致抗蝕劑層暴露的地方。

3.根據權利要求1所述的方法，其中每一氧化物側壁間隔物的尺寸為約120納米。

4.根據權利要求1所述的方法，其中每一垂直伸長的浮柵的尺寸為約120納米。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二多晶硅層的厚度大于一對所述垂直伸長的浮柵之間的距離的二分之一。

6.根據權利要求1所述的方法，其中相鄰浮柵之間的距離為大約390納米。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述字線設備的尺寸為大約0.18微米。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述字線設備和所述擦除柵之間的間隙為大約0.04微米。

9.一種閃存存儲器設備，包括：

基板，所述基板具有限定和分離有源部分的淺溝槽隔離；

浮柵氧化物層，所述浮柵氧化物層沉積在所述基板上；

一對浮柵，所述一對浮柵位于所述基板的所述有源部分上方，每一浮柵在垂直方向上伸長，以使得每一浮柵從所述浮柵的底端到所述浮柵的頂端的垂直尺寸大于所述浮柵的水平尺寸；

源極結，在所述一對浮柵之間將所述源極結植入所述基板中；

內多晶硅層，所述內多晶硅層在所述一對浮柵的頂部上方延伸；以及

第二多晶硅層，所述第二多晶硅層位于所述內多晶硅層頂部上，所述第二多晶硅層被圖案化并蝕刻以將所述第二多晶硅層分離成橫向地位于一對字線結構之間的擦除柵結構，其中所述擦除柵結構在所述一對浮柵之間橫向延伸，且其中所述一對字線結構和所述擦除柵結構通過所述內多晶硅層與所述一對浮柵物理隔離。

10.根據權利要求9所述的閃存存儲器設備，其中所述浮柵中的每個浮柵的尺寸為約120納米。

11.根據權利要求9所述的閃存存儲器設備，其中所述第二多晶硅層的厚度大于所述一對浮柵之間的距離的二分之一。

12.根據權利要求9所述的閃存存儲器設備，其中所述一對浮柵之間的距離為大約390納米。

13.根據權利要求9所述的閃存存儲器設備，其中所述一對字線結構中的每一者的尺寸為大約0.18微米。

14.根據權利要求9所述的閃存存儲器設備，其中所述一對字線結構中的每一者和橫向地位于所述一對字線結構之間的所述擦除柵結構之間的間隙為大約0.04微米。