[發明專利]用于三維存儲器件的接觸結構

在審

• 申請號: 201880002919.0
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN109716521A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 孫中旺;李廣濟;張坤;胡明;程紀偉;羅世金;鮑琨;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝

1.一種三維存儲結構，包括：

設置在襯底上的膜疊層，其中所述膜疊層包括多個導電層和電介質層對，每一導電層和電介質層對包括導電層和第一電介質層；

形成于所述膜疊層中的階梯結構，其中所述階梯結構包括多個臺階，每一階梯臺階包括兩個或更多導電層和電介質層對；以及

形成于所述階梯結構上方的第一絕緣層中的多個同軸接觸結構，

其中每一同軸接觸結構包括一個或多個導電環和絕緣環對以及導電芯，

其中每一導電環和絕緣環對包括導電環和絕緣環。

2.根據權利要求1所述的三維存儲結構，其中每一導電環接觸所述階梯臺階的對應導電層和電介質層對的所述導電層。

3.根據權利要求2所述的三維存儲結構，其中

每一同軸接觸結構至少包括外導電環和內導電環；并且

所述外導電環與所述階梯臺階的上導電層和電介質層對對應，其中

所述外導電環包括更大直徑，并且

所述上導電層和電介質層對離所述襯底更遠。

4.根據權利要求2所述的三維存儲結構，其中

每一同軸接觸結構至少包括外導電環和內導電環；并且

所述內導電環與所述階梯臺階的下導電層和電介質層對對應，其中

所述內導電環包括更小直徑，并且

所述下導電層和電介質層對離所述襯底更近。

5.根據權利要求1所述的三維存儲結構，其中所述導電芯接觸兩個或更多導電層和電介質層對構成的所述階梯臺階中的離所述襯底最近的所述導電層。

6.根據權利要求1所述的三維存儲結構，其中

所述導電環和絕緣環對的所述絕緣環被設置為圍繞所述階梯結構的所述導電層的側壁以及所述導電環的側壁，其中所述絕緣環被配置為使所述導電環與另一導電環或所述導電芯電隔離。

7.根據權利要求6所述的三維存儲結構，其中所述絕緣環被設置到兩個或更多導電層和電介質層對構成的所述階梯臺階的所述第一電介質層的側壁上。

8.根據權利要求1所述的三維存儲結構，還包括設置在所述第一絕緣層和所述階梯結構之間的阻擋層，并且所述多個同軸接觸結構穿過所述阻擋層延伸。

9.根據權利要求1所述的三維存儲結構，進一步包括：

所述導電層上的柵極電介質層，以及

穿過所述柵極電介質層延伸以接觸所述階梯結構的所述導電層的導電環。

10.一種用于形成三維存儲結構的方法，包括：

在襯底上設置電介質膜疊層，其中所述電介質膜疊層包括多個交替電介質層對，每一交替電介質層對包括第一電介質層和不同于所述第一電介質層的第二電介質層；

在所述電介質膜疊層中形成電介質階梯，其中所述電介質階梯包括多個臺階，每一電介質階梯臺階包括兩個或更多交替電介質層對；

在所述電介質階梯上設置第一絕緣層；

在所述電介質膜疊層中形成多個存儲串；

利用導電層替代所述第二電介質層，以形成具有多個臺階的階梯結構，其中每一階梯臺階包括兩個或更多導電層和電介質層對，每一導電層和電介質層對包括導電層和所述第一電介質層；以及

在所述階梯結構上形成多個同軸接觸結構。

11.根據權利要求10所述的方法，其中形成所述同軸接觸結構包括：

形成用于所述階梯結構中的所述階梯臺階的每一導電層和電介質層對的導電環和絕緣環對，其中所述導電環和絕緣環對包括導電環和絕緣環。