[發明專利]透光率控制膜以及用于透光率控制膜的組合物

有效

• 申請號: 201880002175.2
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN110506229B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 樸承九;尹盛律;景起旭;崔敉情;樸烽濟;樸善澤;南歳光;文成撤;辛殷珍;林廷默
• 申請（專利權）人: 韓國電子通信硏究院
• 主分類號: G02B26/02
• 分類號: G02B26/02;C08G77/20;C08G77/442
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種透光率控制膜，其包括：

基質部分，其包含共聚物和接枝到所述共聚物上的聚合物鏈；以及

分散部分，其包含衍生自第一單體的聚合物，所述分散部分設置所在述基質部分中，

其中所述聚合物鏈衍生自所述第一單體，

其中所述共聚物包含衍生自第二單體的第一聚合物和衍生自第三單體的第二聚合物，

在施加外力時顯示出第一透光率，并且

在去除所述外力之后顯示出大于所述第一透光率的第二透光率，

其中在施加所述外力時，在所述分散部分與所述基質部分之間提供空隙，并且在去除所述外力之后所述空隙消失，以及

其中在施加所述外力之前所述膜是透明的。

2.如權利要求1所述的透光率控制膜，其中所述第二透光率在可見光區域中為35％至95％。

3.如權利要求1所述的透光率控制膜，其中所述分散部分比所述基質部分具有更高的初始模量。

4.如權利要求3所述的透光率控制膜，其中所述分散部分具有為所述基質部分的初始模量的100至100000倍的初始模量。

5.如權利要求1所述的透光率控制膜，其中所述基質部分的折射率與所述分散部分的折射率之間的差異小于5％。

6.如權利要求1所述的透光率控制膜，其中所述外力包括拉伸力。

7.如權利要求1所述的透光率控制膜，其中所述第一單體由以下式1表示：

[式1]

在式1中，A1和A2各自獨立地為單鍵、氧(O)、-NH-、或硫(S)，R1為氫、鹵素、1至8個碳原子的直鏈或支鏈烷基、或者1至8個碳原子的鹵素取代的直鏈或支鏈烷基，并且R2、R3和R4各自獨立地為氫、鹵素、或者1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基。

8.如權利要求7所述的透光率控制膜，其中所述基質部分由以下式6A表示：

[式6A]

在式6A中，R11由以下式2B表示，R12、R13和R14各自獨立地為氫、鹵素、1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基、或者6至13個碳原子的取代或未取代的苯基，R15由下式6B表示，并且R16由以下式6C表示：

[式2B]

在式2B中，*表示與式6A中的Si鍵合的部分，B是單鍵、或者1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基、羰基、酯、乙酸酯、酰胺、或-S-CO-基團，R21、R22和R23各自獨立地為氫、鹵素、或者1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基；

[式6B]

在式6B中，*表示與式6A中的Si鍵合的部分，A1和A2各自獨立地為單鍵、氧(O)、-NH-、或硫(S)，B為單鍵、1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基、羰基、酯、乙酸酯、酰胺、或-S-CO-基團，R1是氫、鹵素、1至8個碳原子的直鏈或支鏈烷基、或者1至8個碳原子的鹵素取代的直鏈或支鏈烷基，R2、R3和R4各自獨立地為氫、鹵素或者1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基，R21、R22和R23各自獨立地為氫、鹵素、1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基、或者6至13個碳原子的取代或未取代的苯基，m6為選自1至100的整數：

[式6C]

在式6C中，*表示與式6A中的Si鍵合的部分，A1和A2各自獨立地為單鍵、氧(O)、-NH-或硫(S)，B為單鍵、1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基、羰基、酯、乙酸酯、酰胺或-S-CO-基團，R1是氫、鹵素、1至8個碳原子的直鏈或支鏈烷基或者1至8個碳原子的鹵素取代的直鏈或支鏈烷基，R2、R3和R4各自獨立地為氫、鹵素或者1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基，R21、R22和R23各自獨立地為氫、鹵素、1至5個碳原子的直鏈或支鏈烷基或者6至13個碳原子的取代或未取代的苯基，并且m7為選自1至100的整數。