[發明專利]用于改進的化學蝕刻的方法和系統在審
| 申請號: | 201880000807.1 | 申請日: | 2018-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN109075111A | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發明(設計)人: | 孫文斌;蔣陽波;汪亞軍;顧立勛;徐融;吳良輝 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人: | 鐘勝光 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體供應管 液體供應管 開口 化學蝕刻 化學蝕刻裝置 引入 延伸 容納 改進 | ||
1.一種用于化學蝕刻的裝置,包括:
被配置為容納第一液體的容器;
沿所述容器的底部部分延伸的液體供應管,所述液體供應管具有沿著沿所述容器的所述底部部分的所述液體供應管的長度的第一多個開口;以及
沿所述容器的所述底部部分延伸的氣體供應管,所述氣體供應管具有沿著沿所述容器的所述底部部分的所述氣體供應管的長度的第二多個開口,
其中,所述液體供應管被配置為經由所述第一多個開口將第二液體引入到所述第一液體中,并且所述氣體供應管被配置為經由所述第二多個開口將氣體引入到所述第一液體中。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述容器被配置為支撐一結構,所述結構被配置為容納一個或多個襯底。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述氣體包括氮氣。
4.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一多個開口和所述第二多個開口中的每個開口具有0.10mm和0.20mm之間的直徑。
5.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述液體供應管和所述氣體供應管彼此平行地沿所述容器的所述底部部分延伸。
6.根據權利要求5所述的裝置,其中,所述第一多個開口中的每個開口在垂直于所述氣體供應管和所述液體供應管中的每個的長度的方向上與所述第二多個開口的對應開口對準。
7.根據權利要求1所述的裝置,還包括多個液體供應管,每個液體供應管沿所述容器的所述底部部分延伸并且彼此平行。
8.根據權利要求1所述的裝置,還包括多個氣體供應管,每個氣體供應管沿所述容器的所述底部部分延伸并且彼此平行。
9.根據權利要求8所述的裝置,其中,所述多個氣體供應管在所述容器的外部組合成單個入口氣體管。
10.根據權利要求8所述的裝置,還包括閥,所述閥位于所述多個氣體供應管中的每個上,并且所述閥被配置為獨立地控制所述多個氣體供應管中的每個內的氣體的流速。
11.一種化學蝕刻方法,包括:
將第一液體加載到容器中;
使第二液體流過沿所述容器的底部部分延伸的液體供應管;
經由第一多個開口將所述第二液體引入到所述第一液體中,所述第一多個開口沿著沿所述容器的所述底部部分延伸的所述液體供應管的長度;
使氣體流過沿所述容器的所述底部部分延伸的氣體供應管;
經由第二多個開口將所述氣體引入到所述第一液體中,所述第二多個開口沿著沿所述容器的所述底部部分延伸的所述氣體供應管的長度。
12.根據權利要求11所述的方法,還包括將一個或多個襯底加載到結構中,并且將所述結構浸入容納所述第一液體的所述容器中。
13.根據權利要求12所述的方法,還包括使用至少所述第二液體蝕刻所述一個或多個襯底上的材料。
14.根據權利要求11所述的方法,其中,使所述第二液體流動和使所述氣體流動同時發生。
15.根據權利要求11所述的方法,其中,使所述第二液體流動包括:使所述第二液體流過沿著所述容器的所述底部部分的多個液體供應管。
16.根據權利要求11所述的方法,其中,使所述氣體流動包括:使所述氣體流過沿著所述容器的底部部分的多個氣體供應管。
17.根據權利要求16所述的方法,還包括:使用耦合到所述多個氣體供應管中的每個的閥來調節所述多個氣體供應管中的每個內的所述氣體的流速。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





