[發明專利]基于動態可調的通信功能器件

在審

• 申請號: 201880000724.2
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN109075415A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 郭忠義;沈飛;郭凱;周紅平;周清峰;聶小如
• 申請（專利權）人: 東莞理工學院
• 主分類號: H01P1/15
• 分類號: H01P1/15
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 黃曉笛

本發明提供了一種基于動態可調的通信功能器件，包括調控層、中間介質層和基底層，其中，所述調控層、中間介質層、基底層自上而下層疊設置，所述調控層為石墨烯層。本發明的有益效果是：本發明結構組成簡單，材料容易獲取和加工，相比較以往的器件大大提升了可調性和器件的靈活性，與現有存在的一些存儲器或者具有傳輸功能的器件使用相比較，本發明克服了現有技術所帶來的加工制作不便，有利于通信功能器件的可集成性和小型化。

技術領域

本發明涉及通信功能器件，尤其涉及一種基于動態可調的通信功能器件。

背景技術

傳統的通信功能器件的可集成性較差，不利于小型化。

發明內容

為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種基于動態可調的通信功能器件，有利于可集成性和小型化。

本發明提供了一種基于動態可調的通信功能器件，包括調控層、中間介質層和基底層，其中，所述調控層、中間介質層、基底層自上而下層疊設置，所述調控層為石墨烯層。

作為本發明的進一步改進，所述中間介質層為聚甲基丙烯酸甲酯層。

作為本發明的進一步改進，所述基底層為硅層。

作為本發明的進一步改進，所述石墨烯層的厚度為1nm，所述中間介質層的厚度為50nm，所述基底層的厚度為200nm。

作為本發明的進一步改進，所述通信功能器件為Y-型通信功能器件、X-型通信功能器件、單輸入-三輸出通信功能器件、雙輸入-三輸出通信功能器件、雙輸入-四輸出通信功能器件中的任意一種。

作為本發明的進一步改進，所述Y-型通信功能器件的尺寸為：輸入寬度W＝800nm，石墨烯層厚度d0＝1nm，中間介質層厚度d＝50nm，基底層厚度d1＝200nm，輸入長度L1＝500nm，輸出第一段長度L2＝1000nm，輸出第二段長度L3＝1500nm，輸出寬度W1＝400nm。

作為本發明的進一步改進，所述X-型通信功能器件的尺寸為：輸入寬度＝輸出寬度W＝400nm，石墨烯層厚度d0＝1nm，中間介質層厚度d＝50nm，基底層厚度d1＝200nm，輸入長度＝輸出長度L1＝1000nm，交匯段長度L2＝500nm。

作為本發明的進一步改進，所述單輸入-三輸出通信功能器件的尺寸為：輸入寬度＝輸出寬度W＝400nm，間隙W1＝200nm，石墨烯層厚度d0＝1nm，中間介質層厚度d＝50nm，基底層厚度d1＝200nm，輸入長度＝輸出長度L1＝1000nm，交匯段長度L2＝500nm。

作為本發明的進一步改進，所述雙輸入-三輸出通信功能器件的尺寸為：輸入寬度W0＝600nm，輸入間隙＝輸出寬度W1＝400nm，石墨烯層厚度d0＝1nm，中間介質層厚度d＝50nm，基底層厚度d1＝200nm，輸入長度＝輸出長度L1＝1000nm，交匯段長度L2＝500nm，輸出間隙W2＝200nm。

作為本發明的進一步改進，所述雙輸入-四輸出通信功能器件的尺寸為：輸入寬度W0＝800nm，輸入間隙W1＝200nm，輸出寬度W2＝400nm，輸出間隙W3＝100nm，石墨烯層厚度d0＝1nm、中間介質層厚度d＝50nm，基底層厚度d1＝200nm，輸入長度＝輸出長度L1＝1000nm，交匯段長度L0＝500nm。

本發明的有益效果是：本發明結構組成簡單，材料容易獲取和加工，相比較以往的器件大大提升了可調性和器件的靈活性，與現有存在的一些存儲器或者具有傳輸功能的器件使用相比較，本發明克服了現有技術所帶來的加工制作不便，有利于通信功能器件的可集成性和小型化。

附圖說明

圖1是本發明一種基于動態可調的通信功能器件的Y型結構圖。

圖2是本發明一種基于動態可調的通信功能器件的X型結構圖