[發(fā)明專利]晶硅太陽能電池正面導(dǎo)電漿料及其制備方法和太陽能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880000359.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110603648B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉小麗;孫豐振;李宇;黃玉平;李德林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市首騁新材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍華*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 正面 導(dǎo)電 漿料 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種晶硅太陽能電池正面導(dǎo)電漿料,按照重量份計(jì),所述漿料包括以下原料組分:金屬粉80.0~93.0份;有機(jī)載體6.0~15.0份;氧化物刻蝕劑1.0~5.0份;其中,以所述氧化物刻蝕劑摩爾量為100%計(jì),含有以下組分:PbO 15~30%;TeO225~40%;Li2O 8.0~15.0%;SiO29.0~20.0%;Bi2O35.0~15.0%;MgO 0.1~10.0%;ZnO 0.5~10.0%;CaO 0.1~10.0%;添加元素的氧化物0~5.0%。該正面導(dǎo)電漿料在燒結(jié)過程中可以使得金屬粉與硅形成良好的歐姆接觸,最終獲得接觸電阻低,導(dǎo)電性能好,附著力強(qiáng)的正面電極。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種晶硅太陽能電池正面導(dǎo)電漿料及其制備方法和太陽能電池。
背景技術(shù)
太陽能是一種取之不盡,用之不竭的清潔型能源。隨著煤炭、石油等不可再生能源的日益枯竭,開發(fā)并利用太陽能成為大熱點(diǎn)。基于這種思路開發(fā)的太陽能電池就是利用太陽能的一種重要手段。目前,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的晶硅太陽能電池已經(jīng)成為太陽能電池應(yīng)用的典范。
電池片作為晶硅太陽能電池的核心的組成部分,為了將光照下產(chǎn)生的電流收集并導(dǎo)出,需要在電池片的正面及背面上分別制作一個(gè)電極。制造電極的方法多種多樣,其中絲網(wǎng)印刷及共燒是目前最為普遍的一種生產(chǎn)工藝。如正面電極的制造中,采用絲網(wǎng)印刷的方式將導(dǎo)電漿料涂覆于硅片上,并通過燒結(jié)在硅片正面上形成正面電極。燒結(jié)后的晶硅太陽能電池正面電極需要在硅片上附著牢固,柵線窄而高,遮光面積小,易于焊接,硅太陽能電池正面電極用導(dǎo)電漿料要具備在燒結(jié)過程中穿透氮化硅減反射膜的能力,與硅電池片形成良好的歐姆接觸。
常見的晶硅太陽能電池正面導(dǎo)電漿料含有銀粉、玻璃粉、有機(jī)載體,導(dǎo)電漿料經(jīng)過燒結(jié)形成正面電極。在燒結(jié)過程中,導(dǎo)電漿料中的氧化物刻蝕劑蝕刻并穿透晶硅太陽能電池正面或光照面的減反射絕緣層如氮化硅、氧化鈦、氧化鋁、氧化硅或氧化硅/氧化鈦,使銀粉與晶硅太陽能電池基體接觸,形成正面電極。隨著太陽能電池方阻的提升,傳統(tǒng)的正面導(dǎo)電漿料以及使用的玻璃粉不能很好的刻蝕電池片表面的減反射絕緣層,其形成的正面電極與硅片表面接觸電阻高,從而影響了電池片的光電轉(zhuǎn)化效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種晶硅太陽能電池正面導(dǎo)電漿料及其制備方法,以解決現(xiàn)有正面導(dǎo)電漿料存在的不能有效的對(duì)電池片表面的減反射絕緣層進(jìn)行刻蝕,從而導(dǎo)致正面電極與硅片表面接觸的電阻值升高,最終使得電池片光電轉(zhuǎn)化效率降低等問題。
進(jìn)一步地,本發(fā)明還提供一種晶硅太陽能電池正面電極的制作方法及太陽能電池。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種晶硅太陽能電池正面導(dǎo)電漿料,按照重量份為100計(jì),包括以下原料組分:
金屬粉 80.0~93.0份;
有機(jī)載體 6.0~15.0份;
氧化物刻蝕劑 1.0~5.0份;
其中,以所述氧化物刻蝕劑摩爾量為100%計(jì),所述氧化物刻蝕劑包括以下組分:PbO 15~30%;TeO225~40%;Li2O 8.0~15.0%;SiO29.0~20.0%;Bi2O35.0~15.0%;MgO0.1~10.0%;ZnO 0.5~10.0%;CaO 0.1~10.0%;添加元素的氧化物0~5.0%;
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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