[實用新型]高集成功率模塊和電器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822274061.3 | 申請日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN209183533U | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 畢曉猛;蘇宇泉;馮宇翔 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/29;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張潤 |
| 地址： | 528311 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基板 高集成功率模塊 裝料 溢膠 封裝體 本實用新型 結(jié)合力 疏水層 背面 電器 背面設置 基板暴露 基板背部 包封 良率 封裝 剝離 暴露 | ||
1.一種高集成功率模塊，其特征在于，包括：
封裝體，所述封裝體包括基板和封裝料，所述封裝體中的封裝料包裹所述基板的正面，并暴露所述基板的背面，所述基板的背面設有疏水層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成功率模塊，其特征在于，所述疏水層由有機硅樹脂形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高集成功率模塊，其特征在于，所述有機硅樹脂包括選自甲基硅樹脂、甲基苯基硅樹脂、甲基MQ硅樹脂和甲基乙烯基MQ硅樹脂中的至少之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的高集成功率模塊，其特征在于，所述疏水層的厚度為0.5～2μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成功率模塊，其特征在于，所述疏水層為在所述基板背面刻蝕形成的超疏水微納米結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高集成功率模塊，其特征在于，所述超疏水微納米結(jié)構(gòu)包括多個周期性的納米結(jié)構(gòu)單元，所述納米結(jié)構(gòu)單元的形狀為柱體、圓錐體或半球體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高集成功率模塊，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)單元的周期尺寸不大于100nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成功率模塊，其特征在于，進一步包括：
引腳，所述引腳設置在所述封裝體的兩側(cè)；
晶圓和綁線，所述晶圓設在所述基板的正面，所述綁線連接所述晶圓與所述基板上的布線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高集成功率模塊，其特征在于，所述基板為金屬基板；所述封裝料包括硅膠和/或聚氨酯。
10.一種電器，其特征在于，包括權(quán)利要求1～9任一項所述的高集成功率模塊。
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