[實(shí)用新型]新型光纖有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822273371.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209460449U | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹珊珊;蔣新力;劉志忠;沈一春;王震;蘇海燕;徐海濤;薛馳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中天科技光纖有限公司;江蘇中天科技股份有限公司;中天科技精密材料有限公司;江東科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B6/02 | 分類號(hào): | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 孫芬 |
| 地址: | 226009 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多模層 單模纖芯 過渡層 折射率 新型光纖 本實(shí)用新型 同軸設(shè)置 外包層 光纖 低損耗特性 抗彎曲性能 單模傳輸 多模傳輸 光纜管理 光纖中心 數(shù)據(jù)中心 凹陷層 收發(fā)器 上階 相等 緊貼 包圍 升級(jí) | ||
1.一種新型光纖,其特征在于:由內(nèi)到外依次包括同軸設(shè)置的單模纖芯、多模層及外包層,所述單模纖芯位于光纖中心,且具有上階躍折射率,所述多模層包圍于所述單模纖芯外,且具有α輪廓分布的折射率;所述多模層內(nèi)側(cè)和/或所述多模層外側(cè)設(shè)有若干過渡層,所述過渡層與所述單模纖芯或所述外包層同軸設(shè)置,且所述過渡層緊貼所述多模層,其折射率與所述多模層接觸部分的折射率相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型光纖,其特征在于:當(dāng)所述過渡層介于所述單模纖芯和所述多模層之間為第一過渡層,與純二氧化硅相比,所述第一過渡層的相對(duì)折射率δ0為0.5%至2.0%之間,所述第一過渡層的單側(cè)寬度W0為1μm至4μm之間;當(dāng)所述過渡層介于所述多模層和所述外包層之間為第二過渡層,與純二氧化硅相比,所述第二過渡層的相對(duì)折射率δ5為-0.4%至0.15%之間,所述第二過渡層的單側(cè)寬度W5為1μm至7μm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型光纖,其特征在于:所述單模纖芯為摻鍺的二氧化硅玻璃,其半徑r1為3μm至5μm之間,相對(duì)折射率δ1高于所述第一過渡層的相對(duì)折射率δ0,δ1-δ0=0.25%~0.4%。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型光纖,其特征在于:所述多模層的相對(duì)折射率δ2介于所述第一過渡層的相對(duì)折射率δ0和所述第二過渡層的相對(duì)折射率δ5之間,呈α輪廓分布,所述多模層的半徑r2為15μm至35μm之間,α為1.8至2.5之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型光纖,其特征在于:所述新型光纖的半徑r3為62μm至63μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5中任一項(xiàng)所述的新型光纖,其特征在于:所述單模纖芯與所述多模層之間包括下階躍折射率的下?lián)綄樱鱿聯(lián)綄拥南鄬?duì)折射率δ4低于所述第一過渡層的相對(duì)折射率δ0,所述下?lián)綄拥膯蝹?cè)寬度W4為0.5μm至5μm之間,且δ4-δ0=-0.05%~-0.35%。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型光纖,其特征在于:所述下?lián)綄影ㄍS設(shè)置的多層結(jié)構(gòu),其中具有最低階躍折射率的為主下?lián)綄樱渌麨檩o下?lián)綄印?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型光纖,其特征在于:所述下?lián)綄影ㄖ飨聯(lián)綄雍鸵惠o下?lián)綄樱渲?/p>
所述主下?lián)綄拥膯螌訉挾葹閃04為1μm至4μm之間,且δ04-δ0=-0.1%~-0.35%;
所述輔下?lián)綄拥膯螌訉挾葹閃14為0.5μm至4μm之間,且δ14-δ0=-0.05%~-0.2%。
9.根據(jù)權(quán)利要求3-5中任一項(xiàng)所述的新型光纖,其特征在于:所述多模層與所述外包層之間包括下階躍折射率的凹陷層,所述凹陷層的相對(duì)折射率δ6低于所述第二過渡層的相對(duì)折射率δ5,所述凹陷層的單側(cè)寬度W6為2μm至45μm之間,相對(duì)折射率δ6為-0.05%至-0.4%之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的新型光纖,其特征在于:所述凹陷層包括同軸設(shè)置的多層結(jié)構(gòu),其中具有最低階躍折射率的為主凹陷層,其他為輔凹陷層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的新型光纖,其特征在于:所述凹陷層包括主凹陷層和一輔凹陷層,其中
所述主凹陷層的單層寬度為W06為2μm至6μm之間,且相對(duì)折射率δ06為-0.2%至-0.4%之間;
所述輔凹陷層的單層寬度為W16為2μm至45μm之間,且相對(duì)折射率δ16為-0.05%至-0.2%之間。
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