[實(shí)用新型]一種光探測器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822269754.3
• 申請(qǐng)日: 2018-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN209374461U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫思維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0232
• 分類號(hào): H01L31/0232;H01L31/18
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 李博洋

1.一種光探測器，其特征在于，包括：

襯底，以及沿入射光傳播方向依次同層設(shè)置在所述襯底上的無源波導(dǎo)區(qū)、吸收區(qū)和反射光柵區(qū)；

所述無源波導(dǎo)區(qū)用于將所述入射光耦合至所述吸收區(qū)；

所述反射光柵區(qū)用于將未被所述吸收區(qū)吸收的所述入射光反射回所述吸收區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光探測器，其特征在于，所述反射光柵區(qū)包括：周期性排布的硅層和氧化硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光探測器，其特征在于，所述反射光柵結(jié)構(gòu)的光柵占空比為50％。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光探測器，其特征在于，所述反射光柵結(jié)構(gòu)的排布周期為0.3-0.4μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光探測器，其特征在于，所述無源波導(dǎo)區(qū)接收所述入射光的一端的端面面積小于與所述吸收區(qū)耦合的一端的端面面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光探測器，其特征在于，所述無源波導(dǎo)區(qū)與所述吸收區(qū)耦合的一端的端面與所述吸收區(qū)被所述無源波導(dǎo)區(qū)耦合的一端的端面重合，所述吸收區(qū)與所述反射光柵區(qū)耦合的一端與所述反射光柵區(qū)被所述吸收區(qū)耦合的一端的端面重合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光探測器，其特征在于，所述吸收區(qū)的材料包括鍺，所述吸收區(qū)沿所述入射光傳播方向的長度為10-15μm，所述吸收區(qū)在水平垂直于所述入射光傳播方向的長度為1-4μm，所述吸收區(qū)在豎直垂直于所述入射光傳播方向的長度為0.1-0.3μm。