[實用新型]空間重疊多電極控制VCSEL列陣有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822269587.2 | 申請日： | 2018-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN209561863U | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王俊;譚少陽;榮宇峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/40 | 分類號： | H01S5/40;H01S5/42;H01S5/042 |
| 代理公司： | 蘇州國誠專利代理有限公司 32293 | 代理人： | 楊淑霞 |
| 地址： | 215163 江蘇省蘇州市高*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光芯片 本實用新型 第二電極 第一電極 空間重疊 襯底層 電連接 多電極 列陣 絕緣層 均勻發(fā)光 依次層疊 背電極 排布 源層 背面 節(jié)約 能源 優(yōu)化 | ||
1.一種空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述空間重疊多電極控制VCSEL列陣包括：第一發(fā)光芯片以及與所述第一發(fā)光芯片同步或者異步工作的第二發(fā)光芯片；
所述第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片位于襯底層的正面，所述任一發(fā)光芯片包括自上而下依次層疊設(shè)置的：上DBR層、有源層以及下DBR層，所述第一發(fā)光芯片具有與其上DBR層電連接的第一電極，所述第二發(fā)光芯片具有與其上DBR層電連接的第二電極，所述第一電極和第二電極之間設(shè)置有第一絕緣層，所述襯底層的背面還設(shè)置有背電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第一電極、第一絕緣層、第二電極具有避讓所述第一發(fā)光芯片的上DBR層發(fā)光面的第一鏤空結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第一電極、第一絕緣層、第二電極具有避讓所述第二發(fā)光芯片的上DBR層發(fā)光面的第二鏤空結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述空間重疊多電極控制VCSEL列陣還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯片的表面，并具有避讓所述第一發(fā)光芯片和第二發(fā)光芯的上DBR層發(fā)光面的第三鏤空結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第一電極和第二電極為金屬薄膜電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第一發(fā)光芯片為多個，多個第一發(fā)光芯片以規(guī)則或者不規(guī)則的方式分布于所述襯底層上，多個第一發(fā)光芯片所占據(jù)區(qū)域的面積與所述襯底層上表面的面積相一致。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，多個第一發(fā)光芯片以規(guī)則方式分布時，多個第一發(fā)光芯片以陣列方式進行排布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述第二發(fā)光芯片為多個，多個第二發(fā)光芯片以規(guī)則或者不規(guī)則的方式分布于所述襯底層上，多個第二發(fā)光芯片所占據(jù)區(qū)域的面積與所述襯底層上表面的面積相一致。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，多個第二發(fā)光芯片以規(guī)則方式分布時，多個第二發(fā)光芯片以陣列方式進行排布。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述空間重疊多電極控制VCSEL列陣為適用于紅外、可見、紫外光波段面光源VCSEL中的任一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空間重疊多電極控制VCSEL列陣，其特征在于，所述空間重疊多電極控制VCSEL列陣為適用于無偏振控制或偏振控制的面光源結(jié)構(gòu)。
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