[實用新型]半導體功率器件有效

申請號：	201822268288.7	申請日：	2018-12-29
公開（公告）號：	CN209561381U	公開（公告）日：	2019-10-29
發明（設計）人：	許新佳;周炳;陳雨雁;趙承杰;夏凱	申請（專利權）人：	張家港意發功率半導體有限公司
主分類號：	H01L23/488	分類號：	H01L23/488
代理公司：	蘇州國誠專利代理有限公司 32293	代理人：	楊淑霞
地址：	215600 江蘇省蘇州市張***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	鍵合鋁條鉛錫銀硅外延層半導體功率器件摻雜鈍化層本實用新型襯底層抬升導通電阻接觸電阻冷卻定型芯片損傷窗口處鍵合區融合芯片延伸
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【權利要求書】：

1.一種半導體功率器件，其特征在于，所述半導體功率器件包括：襯底層、摻雜P的硅外延層、鈍化層以及鋁條帶；

所述摻雜P的硅外延層形成于所述襯底層上，所述鈍化層形成于所述摻雜P的硅外延層上，所述鈍化層上開設有鍵合窗口，所述鍵合窗口延伸至所述摻雜P的硅外延層上，所述鋁條帶通過鉛錫銀鍵合于所述鍵合窗口處，且所述鋁條帶用于鍵合的端部融合于冷卻定型的鉛錫銀中，且所述鋁條帶的鍵合的端部向上抬升所述鉛錫銀一半厚度的距離。

2.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述襯底層選自Si、SiC、藍寶石中的一種。

3.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述鈍化層為SiN層。

4.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述鍵合窗口為兩個，兩個鍵合窗口的尺寸相同或者不同。

5.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述鍵合窗口通過光刻的方式形成于所述鈍化層上。

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