[實用新型]焊接機用快恢復二極管

有效

• 申請號: 201822258466.8
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN209169151U
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 崔峰敏
• 申請（專利權）人: 傲迪特半導體（南京）有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 江蘇致邦律師事務所 32230
• 代理人: 徐蓓;尹妍

本實用新型涉及焊接機用快恢復二極管，襯底為低摻雜的N型第一磊晶矽晶圓層和低摻雜的N型第二磊晶矽晶圓層復合而成的雙層磊晶矽晶圓層，其中第一磊晶矽晶圓層體積電阻率ρ1=5?·㎝，厚度15μm；第二磊晶矽晶圓層體積電阻率ρ1=20?·㎝，厚度25μm；低摻雜的N型雙層磊晶矽晶圓層襯底上設有高摻雜P型磊晶基區，形成PN結。本實用新型的快恢復二極管采用磊晶矽晶圓層材質的復合襯底，結合兩個環形結構，形成的二極管結構正向電流大、反向恢復時間短，開關特性好，適用于焊接機。

技術領域

本實用新型涉及半導體功率器件，特別涉及焊接機用快恢復二極管。

背景技術

快恢復二極管是一種具有開關特性好、反向恢復時間短的特點的半導體二極管，主要作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中。不同的應用領域對快恢復二極管的性能有不同的需求，如對于焊接機，對二極管的正向電流、反向恢復時間、開關特性等有較高的要求。

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種焊接機用快恢復二極管。

為實現上述技術目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種焊接機用快恢復二極管，其襯底為低摻雜的N型第一磊晶矽晶圓層和低摻雜的N型第二磊晶矽晶圓層復合而成的雙層磊晶矽晶圓層，其中第一磊晶矽晶圓層體積電阻率ρ1=5?·㎝，厚度15μm；第二磊晶矽晶圓層體積電阻率ρ1=20?·㎝，厚度25μm；低摻雜的N型雙層磊晶矽晶圓層襯底上設有高摻雜P型磊晶基區，形成PN結。

作為本實用新型的進一步改進，所述雙層磊晶矽晶圓層襯底上有2個環形結構，外環為高摻雜N型磊晶發射區；高摻雜P型磊晶基區和外環高摻雜N型磊晶發射區中間有一個高摻雜P型磊晶基環。

作為本實用新型的進一步改進，所述雙層磊晶矽晶圓層襯底、高摻雜P型磊晶基區、高摻雜P型磊晶基環和高摻雜N型磊晶發射區上有碳納米管CNT層。

作為本實用新型的進一步改進，所述環形結構曲率為350μm，外環高摻雜N型磊晶發射區寬度45μm，內環磊晶基環寬度18μm。

作為本實用新型的進一步改進，所述外環高摻雜N型磊晶發射區、內環磊晶基環、高摻雜P型磊晶基區間的橫向距離依次為85μm、25μm。

作為本實用新型的進一步改進，所述高摻雜P型磊晶基區、高摻雜N型磊晶發射區、碳納米管CNT層上沉積金屬Al作為陽極；襯底的背面沉積金屬Ag作為陰極。

作為本實用新型的進一步改進，所述電極外設有2μm的PI保護膜。

作為本實用新型的進一步改進，所述陽極金屬Al的厚度為4μm，所述陰極金屬Ag的厚度為0.8μm。

本實用新型的焊接機用快恢復二極管采用磊晶矽晶圓層材質的復合襯底，結合兩個環形結構，形成的二極管結構正向電流大、反向恢復時間短，開關特性好，適用于焊接機。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例1的芯片結構示意圖。

圖2為本實用新型實施例1的環形結構示意圖。

圖中數字單位為μm。

具體實施方式