[實用新型]太赫茲混頻器及包括該混頻器的電子設備

有效

• 申請號: 201822256650.9
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN209133660U
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 李元景;胡海帆;趙自然;馬旭明
• 申請（專利權）人: 同方威視技術股份有限公司
• 主分類號: H01P1/213
• 分類號: H01P1/213;H01P11/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種太赫茲混頻器，包括：

腔體，用于分別形成射頻輸入波導和本振輸入波導，以及用于容納微帶線；

微帶線，通過半導體生長工藝形成在所述腔體的內側表面的至少一部分上，所述微帶線分別延伸至所述射頻輸入波導和所述本振輸入波導所在腔體內，以分別形成用于接收射頻輸入信號和本振輸入信號的微帶線天線。

2.根據權利要求1所述的太赫茲混頻器，其中，所述腔體由硅基體或砷化鎵基體形成，在所述硅基體或所述砷化鎵基體上形成有溝槽結構，在所述硅基體或所述砷化鎵基體的內側表面和所述溝槽的側壁上形成有金屬層，通過所述金屬層之間的鍵合形成所述腔體。

3.根據權利要求2所述的太赫茲混頻器，其中，所述微帶線包括：

介質基片，所述介質基片通過半導體生長工藝形成在所述金屬層的至少一部分上；

導帶金屬，所述導帶金屬通過半導體生長工藝形成在所述介質基片的頂部表面的至少一部分上。

4.根據權利要求3所述的太赫茲混頻器，其中，所述介質基片包括二氧化硅基片、氮化硅基片或砷化鎵基片。

5.根據權利要求3所述的太赫茲混頻器，其中，所述介質基片的厚度為10μm～100μm。

6.根據權利要求3所述的太赫茲混頻器，其中，所述導帶金屬與所述金屬層電連接。

7.根據權利要求3所述的太赫茲混頻器，其中，所述金屬層的厚度根據電磁波傳輸的趨附深度要求確定。

8.根據權利要求3所述的太赫茲混頻器，其中，所述金屬層的厚度為0.5μm～5μm。

9.根據權利要求3至8中任一項所述的太赫茲混頻器，其中，所述溝槽結構包括用于形成所述射頻輸入波導的第一溝槽和用于形成所述本振輸入波導的第二溝槽，所述第一溝槽的深度方向和所述第二溝槽的深度方向與所述微帶線所在平面的法線方向平行。

10.根據權利要求9所述的太赫茲混頻器，其中，所述射頻輸入波導的波導口的引出方向和所述本振輸入波導的波導口的引出方向與所述微帶線所在平面的法線方向平行或與所述微帶線所在平面的法線垂直。

11.根據權利要求3所述的太赫茲混頻器，還包括：

肖特基二極管，所述肖特基二極管倒裝鍵合或正面鍵合在所述介質基片上，或者通過半導體生長工藝形成在所述介質基片上，且所述肖特基二極管與所述導帶金屬電連接。

12.根據權利要求11所述的太赫茲混頻器，其中，在所述導帶金屬上設置有對準標記，所述對準標記用于在鍵合所述肖特基二極管時進行對準。

13.一種電子設備，包括由如權利要求1～12中任一項所述的太赫茲混頻器形成的集成電路。