[實用新型]一種真空干燥裝置

有效

• 申請號: 201822256266.9
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN209484942U
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 李淑萍;趙迎春;熊敏;王燕;朱宇
• 申請（專利權）人: 蘇州工業園區服務外包職業學院
• 主分類號: F26B5/04
• 分類號: F26B5/04;F26B25/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本實用新型實施例提供了一種真空干燥裝置，該真空干燥裝置腔體，所述腔體上設置有排氣孔和進氣孔；抽真空機構，與所述腔體的排氣孔連接，用于對所述腔體抽真空；充氣機構，與所述腔體的進氣孔連接，用于對所述腔體補充惰性氣體；位于所述腔體內的樣品固定機構，用于固定待干燥樣品；以及傳感器，所述傳感器的檢測端位于所述腔體內，用于檢測所述腔體內的壓力大小、濕度大小和氣體含量。本實用新型實施例能夠使待干燥樣品在特定的壓力、濕度和氣體含量的環境下進行干燥，從而在干燥過程中，防止環境中的水以及活性氣體對待干燥樣品的性能產生影響，并且在特定的壓力環境下進行干燥，有利于提高待干燥樣品的干燥速度。

技術領域

本實用新型涉及制備工藝技術領域，尤其涉及一種真空干燥裝置。

背景技術

干燥是一種利用熱能降低被干燥物中的水分，以使被干燥物變干的過程。通常，在干燥的過程中被干燥物中液體的成分汽化逸出，該濕的成分例如可以為水分或其他可揮發性液體成分，以獲得規定濕的成分含量的被干燥物。干燥的目的是為了被干燥物的使用或進一步加工。

目前，通常采用一定干燥的方法除去被干燥物中液體的成分。例如，化合物半導體材料的外延生長時所采用的免清洗的襯底，由于該襯底的表面具有氧化層，不利于外延的生長，需對該襯底進行化學清洗，并干燥后才能生長外延薄膜。同時在生長外延薄膜的過程中，外延薄膜上會有不同程度的氧化，需進行脫氧的清洗，以提高外延薄膜的質量。例如以GaSb襯底的清洗干燥處理為例，在GaSb襯底表層幾個納米的氧化銻在高溫脫氧過程中會與GaSb襯底反應而形成氧化鎵與單質銻，從而造成襯底表層粗糙。然而，GaSb襯底脫氧不徹底，會大幅降低外延薄膜的晶體質量。通過采用有機物清洗和酸洗結合以減少GaSb襯底表層氧化物，經化學清洗后轉移至外延設備進行脫氧處理，以改善不當脫氧造成的不利影響。但是，在向外延設備傳遞的過程中，會使清洗后的GaSb襯底再次被污染。現有技術中，通過采用高純氮氣吹干的方式，對清洗后的GaSb襯底進行干燥后，再轉移至外延設備中。

但是，現有技術中GaSb襯底清洗后采用高純氮氣吹干的過程，會使得GaSb襯底被空氣中的落塵沾污或顆粒污染，從而影響GaSb襯底的性能，進而降低外延薄膜的質量。

實用新型內容

本實用新型實施例的目的在于提供一種真空干燥裝置，能夠在干燥過程中，降低環境對待干燥樣品性能的影響。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種真空干燥裝置，包括：

腔體，所述腔體上設置有排氣孔和進氣孔；

抽真空機構，與所述腔體的排氣孔連接，用于對所述腔體抽真空；

充氣機構，與所述腔體的進氣孔連接，用于對所述腔體補充惰性氣體；

位于所述腔體內的樣品固定機構，用于固定待干燥樣品；

以及，傳感器，所述傳感器的檢測端位于所述腔體內，用于檢測所述腔體內的壓力大小、濕度大小和氣體含量。

作為上述真空干燥裝置的一種優選方案，所述腔體包括：

開口殼體，所述排氣孔設置于所述開口殼體上；

頂蓋，所述頂蓋一端與所述開口殼體的部分開口邊緣轉動連接；所述進氣孔設置于所述頂蓋上；

密封圈，位于所述開口殼體的開口邊緣上；所述密封圈用于密封所述頂蓋和所述開口殼體；

閉鎖結構，用于將所述開口殼體和所述頂蓋對接卡合。

作為上述真空干燥裝置的一種優選方案，所述頂蓋上還設置有透明觀察窗；

作為上述真空干燥裝置的一種優選方案，所述閉鎖結構上設置有手柄。