[實用新型]一種超寬帶功率放大器裝置

有效

• 申請號: 201822255651.1
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN209375588U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 李國華
• 申請（專利權）人: 廣州天電科技有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F1/56;H03F3/21;H03F3/19;H03G3/30
• 代理公司: 廣州恒華智信知識產權代理事務所(普通合伙) 44299
• 代理人: 張建明

本實用新型公開了一種超寬帶功率放大器裝置，包括下行鏈路和上行鏈路，所述下行鏈路依次包括預推動級、推動級和末級，所述預推動級的放大管為小微波放大管，所述推動級和末級的放大管為LDMOS管；所述上行鏈路依次包括開關、低噪放管和微波放大管，所述上行鏈路的輸入端通過所述開關與所述下行鏈路的輸出端連接。本實用新型采用寬帶LDMOS技術方案來實現通常選用GAN技術才能設計的超寬帶功率放大器，具有成本低、尺寸小、無需高壓和負壓電路、初始線性好等技術優勢。提升整機系統的市場產品競爭力。

技術領域

本實用新型涉及移動通信系統中射頻技術領域，特別是一種超寬帶功率放大器裝置，主要應用于無線移動通信領域的基站及其輔助無限覆蓋系統、公共安全通信系統以及屏蔽等系統。

背景技術

隨著全球無線通信領域高速發展，4G和5G通信技術應運而生，無線移動通信領域的基站及其輔助無限覆蓋系統、公共安全通信系統以及屏蔽系統等通信相應的技術解決方案也是復雜多樣。從成本、節能環保、小型化等維度考慮，超寬帶多頻一體化是一種比較好的技術方案。該方案的數字信源可采用超寬帶信源或多路窄帶信源合路形式，也可采用多路信源開關切換形式來實現；而射頻功率放大器鏈路需要選用超寬帶來實現，一款功放模塊通用多個通信頻段。例如：我國TD_LTE的D/E/F三個頻段橫跨達800MHz的帶寬。而一般的LDMOS管的頻帶帶寬難以設計，因此，超寬帶功率放大器仍然是該技術解決方案的難以突破的瓶頸。而目前設計超寬帶功率放大器采用的是GAN管技術，GAN技術的優勢就在于其寬禁帶比LDMOS管技術寬3倍以上。但是，GAN管技術也有其成本高、高壓和負壓供電、初始線性差(非線性失真)等劣勢。本實用新型仍然采用LDMOS管技術設計來實現一種超寬帶功率放大器裝置。與GAN管技術相比，具有成本低、尺寸小、無需高壓和負壓電路、初始線性等技術優勢。

發明內容

本實用新型上述問題，提供一種超寬帶功率放大器裝置。本實用新型的技術方案為：

一種超寬帶功率放大器裝置，包括下行鏈路和上行鏈路，所述下行鏈路依次包括預推動級、推動級和末級，所述預推動級的放大管為小微波放大管，所述推動級和末級的放大管為LDMOS管；所述上行鏈路依次包括開關、低噪放管和微波放大管，所述上行鏈路的輸入端通過所述開關與所述下行鏈路的輸出端連接。

作為本實用新型進一步地說明，所述下行鏈路和上行鏈路上還設有用于改善放大管性能指標的隔離單元。

更進一步地，所述預推動級中的隔離單元為電阻衰減網絡，所述推動級和末級中的隔離單元為超寬帶環形器或隔離器。

更進一步地，所述開關為射頻開關。

更進一步地，所述上行鏈路輸入端設有上行LNA輸入接口。

更進一步地，所述下行鏈路包括溫補衰減器，所述溫補衰減器設在所述預推動級前端。

更進一步地，所述下行鏈路和上行鏈路設有可以接入窄帶濾波器或寬帶濾波器的濾波器接口。

更進一步地，所述濾波器接口數量為1-4個。

本實用新型有益效果：

1、超寬帶LDMOS管的選型及超寬帶匹配技術實現855MHz的匹配帶寬，增益平坦度小于2.5dB。

2、射頻鏈路的關鍵器件(寬帶環形器、微波放大管等)選型及設計技術。

3、LDMOS降低增益、拓寬頻帶帶寬，實現相對帶寬855MHz/2227.5MHz＝38.38％，屬于超寬帶放大器。

4、兼容多種新型應用場景：可支持TDD-LTE D/E/F三個頻段中的兩個頻段同時工作；可兼容FDD_LTE制式；通過預留濾波器1～4可以靈活切換應用的功能。