[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822253061.5
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN209374458U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳兵;王加坤
• 申請（專利權(quán)）人: 矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體基體；

覆蓋所述半導(dǎo)體基體的上表面的第一金屬層，以作為所述半導(dǎo)體器件的第一電極；

覆蓋所述半導(dǎo)體基體的下表面的第二金屬層，以作為所述半導(dǎo)體器件的第二電極；

位于所述半導(dǎo)體基體中的耗盡結(jié)構(gòu)；所述耗盡結(jié)構(gòu)不作為所述半導(dǎo)體器件的電極；

增加所述半導(dǎo)體基體的摻雜濃度以減小所述第一金屬層和所述第二金屬層之間正向?qū)〞r(shí)的壓降；以及

當(dāng)在所述第二金屬層和所述第一金屬層之間施加反向電壓時(shí)，通過所述耗盡結(jié)構(gòu)輔助耗盡所述半導(dǎo)體基體，以保證所述第二電極和所述第一電極間之間的反向耐壓要求。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，設(shè)置所述耗盡結(jié)構(gòu)的濃度和/或形狀使其為一不均勻的結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述耗盡結(jié)構(gòu)由導(dǎo)電材料組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述耗盡結(jié)構(gòu)與所述第一金屬層接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述耗盡結(jié)構(gòu)由所述第一金屬層和所述半導(dǎo)體基體的交界面延伸至所述半導(dǎo)體基體的內(nèi)部，并截止至所述半導(dǎo)體基體的內(nèi)部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述耗盡結(jié)構(gòu)被配置為溝槽結(jié)構(gòu)，包括：

位于所述溝槽結(jié)構(gòu)的底部和內(nèi)側(cè)壁表面上的絕緣層；以及

位于所述絕緣層的表面上的導(dǎo)電半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，靠近所述第一金屬層和所述半導(dǎo)體基體的交界面的所述導(dǎo)電半導(dǎo)體層的濃度大于遠(yuǎn)離所述第一金屬層和所述半導(dǎo)體基體的交界面的所述導(dǎo)電半導(dǎo)體層的濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，靠近所述第一金屬層和所述半導(dǎo)體基體的交界面的所述導(dǎo)電半導(dǎo)體層的寬度大于遠(yuǎn)離所述第一金屬層和所述半導(dǎo)體基體的交界面的所述導(dǎo)電半導(dǎo)體層的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)電半導(dǎo)體層的寬度由上至下遞減。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述絕緣層為氧化物層。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)電半導(dǎo)體層為多晶硅層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

由所述第一金屬層和所述半導(dǎo)體基體的交界面延伸至所述半導(dǎo)體基體的內(nèi)部，并截止至所述半導(dǎo)體基體的內(nèi)部的第一半導(dǎo)體區(qū)；

所述第一半導(dǎo)體區(qū)與所述耗盡結(jié)構(gòu)的外側(cè)壁相鄰；以及

由所述第一金屬層和所述半導(dǎo)體基體的交界面延伸至所述第一半導(dǎo)體區(qū)的內(nèi)部，并截止至所述第一半導(dǎo)體區(qū)的內(nèi)部的第二半導(dǎo)體區(qū)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

位于相鄰的兩個(gè)第一半導(dǎo)體區(qū)之上的第一半導(dǎo)體層；以及

位于所述第一半導(dǎo)體層之上的第二半導(dǎo)體層；

所述第一半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體區(qū)和所述第二半導(dǎo)體區(qū)形成一類MOS溝道結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一金屬層覆蓋所述第一半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體區(qū)，所述第二半導(dǎo)體區(qū)和所述耗盡結(jié)構(gòu)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基體包括N型輕摻雜的半導(dǎo)體層和位于所述N型輕摻雜的半導(dǎo)體層的下表面的N型重?fù)诫s的半導(dǎo)體層，所述第二金屬層位于所述N型重?fù)诫s的半導(dǎo)體層的下表面；所述耗盡結(jié)構(gòu)位于所述N型輕摻雜的半導(dǎo)體層內(nèi)。