[實用新型]一種適合Micro-Tec印刷的MWT太陽能電池掩膜

有效

• 申請號: 201822248110.6
• 申請日: 2018-12-29
• 公開（公告）號: CN209971825U
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 黃智;徐建華;李質磊;路忠林;吳仕梁;盛雯婷;張鳳鳴
• 申請（專利權）人: 江蘇日托光伏科技股份有限公司;無錫日托光伏科技有限公司
• 主分類號: B41F15/36
• 分類號: B41F15/36;H01L31/18
• 代理公司: 32237 江蘇圣典律師事務所
• 代理人: 賀翔

本實用新型公開了一種適合Micro?Tec印刷的MWT太陽能電池掩膜，屬于硅太陽能電池工藝技術領域，能夠滿足Micro?Tec印刷機的定位要求。本實用新型將圖1傳統掩膜圈尺寸一致的掩膜圈設計為四個頂點掩膜圈和其余區域掩膜圈尺寸不一致的圖形，四個頂點掩膜圈作為定位點，維持掩膜圈大于MWT電池的負極點以滿足Micro?Tec印刷機的定位要求，其余區域掩膜圈尺寸降低，小于MWT電池的負極點，達到降低了掩膜漿料的用量，降低了刻蝕工序去除掩膜漿料所需的化學品用量，節約了整個制程成本。

技術領域

本發明屬于硅太陽能電池工藝技術領域，尤其涉及一種適合Micro-Tec印刷的MWT太陽能電池掩膜。

背景技術

金屬穿孔卷繞硅太陽能電池（MWT）因其效率高，遮光面積小以及更好的外觀特點受到越來越多的關注。MWT硅太陽能電池是通過激光鉆孔將正面收集的能量穿過電池轉移至電池背面，以減少遮光面積來達到提高轉換效率的目的。專利CN201410016190.6提供了一種MWT的低成本制備方法，該方法在傳統晶硅電池的制作流程上僅增加兩道工序，即：在制絨工序前增加一道激光打孔工序和在擴散后或鍍膜后增加一道孔洞處絕緣的工序。由于該方法工藝簡單，增加設備少，成為目前業內MWT電池生產唯一量產的工藝。

局部接觸背鈍化（PERC）太陽能電池是最近兩年新開發出來的一種高效太陽能電池技術，其核心是在硅片的背光面用氧化鋁或氧化硅薄膜覆蓋，起到鈍化表面提高長波響應，從而提高電池的轉換效率，由于提效顯著且簡單易行，得到了業內的廣泛關注和認可。

由于MWT電池制程與常規電池制程除激光打孔和絕緣隔離兩方面的要求外再無其他差異，使得MWT電池可以兼容黑硅、PERC、HIT、IBC等技術。其中，專利CN201410016190.6同時提供了一種MWT結合PERC技術的制備流程。專利CN201510612566.4提供了一種背鈍化膜制備工藝解決MWT孔洞漏電問題。目前黑硅+MWT、MWT+PERC技術已實現量產。

目前Micro-Tec印刷機采用上曝光的定位方式，且PERC電池由于背鍍膜存在繞鍍問題，硅片背面邊緣的顏色存在色差，由此Micro-Tec印刷機采用邊緣對準時，容易因邊緣的對比度差異導致印刷偏移。Micro-Tec印刷機制備MWT+PERC電池時，為解決此偏移問題，采用定位掩膜圈的方式進行定位，此方案避免了設計并投資昂貴的下曝光臺面，但要求掩膜圈大于MWT電池的負極點，否則負極點覆蓋掩膜區后無法進行定位，又限制了小掩膜圈技術路線的推廣。

發明內容

本發明提供了一種適合Micro-Tec印刷的MWT太陽能電池掩膜，能夠滿足Micro-Tec印刷機的定位要求。

為實現以上目的，本發明采用以下技術方案：

一種適合Micro-Tec印刷的MWT太陽能電池掩膜，包括不同尺寸的掩膜圈，四個頂點的掩膜圈和其余區域的掩膜圈尺寸不同，所述四個頂點的掩膜圈作為定位點，所述四個頂點的掩膜圈大于所述MWT電池的負極點。

以上所述掩膜中，所述四個頂點的掩膜圈尺寸為0.5mm-5mm；所述其余區域掩膜圈尺寸小于MWT電池的負極點，所述其余區域掩膜圈尺寸0.1mm-3mm。

有益效果：本發明提供了一種適合Micro-Tec印刷的MWT太陽能電池掩膜，將圖1傳統掩膜圈尺寸一致的掩膜圈設計為四個頂點掩膜圈和其余區域掩膜圈尺寸不一致的圖形，四個頂點掩膜圈作為定位點，維持掩膜圈大于MWT電池的負極點以滿足Micro-Tec印刷機的定位要求，其余區域掩膜圈尺寸降低，小于MWT電池的負極點，達到降低了掩膜漿料的用量，降低了刻蝕工序去除掩膜漿料所需的化學品用量，節約了整個制程成本。

附圖說明

圖1為常規MWT掩膜圖形；

圖2為本發明的掩膜圈尺寸示意圖，圖中1為四個頂點的掩膜圈，2為其余區域的掩膜圈。