[實用新型]用于微波爐的盛放容器及微波爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822246628.6 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN209325850U | 公開(公告)日: | 2019-08-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 魏祥;何盼;周宇;劉敏;唐相偉 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東美的廚房電器制造有限公司;美的集團股份有限公司 |
| 主分類號: | F24C7/02 | 分類號: | F24C7/02;F24C15/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黃德海 |
| 地址: | 528311 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 主體部 微波爐 盛放容器 周壁 屏蔽層 吸波層 本實用新型 主體部底壁 微波 被加熱食物 保溫性能 均勻受熱 微波穿透 吸收微波 容納腔 底壁 屏蔽 傳播 | ||
本實用新型公開了一種用于微波爐的盛放容器及微波爐。盛放容器包括主體部、用于屏蔽微波的屏蔽層和用于吸收微波的吸波層,主體部具有容納腔,屏蔽層設(shè)于主體部的周壁,吸波層設(shè)于主體部的底部。根據(jù)本實用新型的用于微波爐的盛放容器,通過在主體部的周壁上設(shè)置屏蔽層、在主體部的底壁設(shè)置吸波層,從而大大減少微波穿透主體部周壁的能量,降低主體部周壁處食物(例如液體)的升溫速度,通過控制微波主要從主體部底壁向上傳播,加強主體部底壁的保溫性能,由此可以使得主體部內(nèi)的食物(例如液體)均勻受熱進而可以提升被加熱食物的口感,改善用戶的體驗。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及生活電器領(lǐng)域,尤其是涉及一種用于微波爐的盛放容器及微波爐。
背景技術(shù)
微波加熱均勻性一直是困擾微波爐用戶的一個難題,一般微波加熱的食材主要包括固體食材加熱和液體食材加熱兩種,在對液體加熱過程中,由于微波爐中電磁場分布均勻以及流體加熱過程中的對流問題,導(dǎo)致液體食材存在加熱或翻熱時上下層不均勻或左右不均勻的現(xiàn)象,極大的降低了微波爐用戶的使用體驗。
相關(guān)技術(shù)中,改善微波加熱均勻性最常見的方式有兩種,一種是在微波爐底部安裝旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤,在微波電磁場基本不發(fā)生變化的情況下,通過旋轉(zhuǎn)食材,使其受到的微波能量更均勻;另外一種是在微波爐天線附件加入擾亂微波傳播的攪拌片,通過一定速率均勻旋轉(zhuǎn)攪拌片,使微波爐腔體內(nèi)的電磁場分布更均勻。
以微波爐中電磁波垂直傳輸為例,上述所說的兩種微波加熱均勻性改善方法在水平方向上雖然有一定的作用,但改善效果有限;同時由于無法解決電磁場垂直方向上的不均勻分布問題,使得微波加熱的垂直均勻性仍存在較大的問題。例如將普通的牛奶杯(玻璃或陶瓷杯)放入微波爐中加熱一杯牛奶,會出現(xiàn)上熱下涼的問題。出現(xiàn)這些問題的主要原因是因為微波電磁場分布不均勻和流體加熱過程中的對流問題導(dǎo)致,此外由于微波加熱停止后,液體食材容器底部與液體底層由于溫差較大,使得液體底層溫度迅速下降,加劇了不均勻性。
實用新型內(nèi)容
本實用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此,本實用新型的一個目的在于提出一種用于微波爐的盛放容器,所述用于微波爐的盛放容器具有結(jié)構(gòu)簡單、微波加熱均勻性好的優(yōu)點。
本實用新型還提出一種微波爐,所述微波爐具有如上所述的用于微波爐的盛放容器。
根據(jù)本實用新型實施例的用于微波爐的盛放容器,包括:主體部,所述主體部具有容納腔;用于屏蔽微波的屏蔽層,所述屏蔽層設(shè)于所述主體部的周壁;用于吸收微波的吸波層,所述吸波層設(shè)于所述主體部的底部。
根據(jù)本實用新型實施例的用于微波爐的盛放容器,通過在主體部的周壁上設(shè)置屏蔽層、在主體部的底壁設(shè)置吸波層,從而大大減少微波穿透主體部周壁的能量,降低主體部周壁處食物(例如液體)的升溫速度,通過控制微波主要從主體部底壁向上傳播,加強主體部底壁的保溫性能,由此可以使得主體部內(nèi)的食物(例如液體)均勻受熱,進而可以提升被加熱食物的口感,改善用戶的體驗。
在一些實施例中,所述屏蔽層的厚度為0.01-10mm。
在一些實施例中,所述屏蔽層呈環(huán)狀且環(huán)繞在所述主體部的周向方向。
在一些實施例中,所述屏蔽層為多個。
在一些實施例中,多個所述屏蔽層沿所述主體部的周向方向間隔分布。
在一些實施例中,多個所述屏蔽層沿所述主體部的軸線方向間隔分布。
在一些實施例中,所述容納腔的深度為H,在所述容納腔的深度方向上,所述屏蔽層的豎直高度為H1,所述H1與H的比值范圍是:0.1-1。
在一些實施例中,所述H1與H的比值為0.33。
在一些實施例中,所述容納腔的深度為H,在所述容納腔的深度方向上,所述屏蔽層的最上端與所述主體部的外底面之間的距離為H2,所述H2與H的比值范圍是:0.1-1。
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