[實用新型]一種MEMS結構

有效

• 申請號: 201822245337.5
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN210193393U
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 季鋒;江為團;劉琛;聞永祥
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭集成電路有限公司;杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純

1.一種MEMS結構，其特征在于，包括：

位于半導體襯底中的空腔；

位于所述半導體襯底的第一表面上且封閉所述空腔的敏感膜片；

穿過所述敏感膜片到達所述空腔的開口；

覆蓋所述敏感膜片的表面、并且形成所述開口內壁上的襯層的停止層；

位于所述敏感膜片上且封閉所述開口的層間介質層；以及

從所述半導體襯底的第二表面到達所述空腔的通道。

2.根據權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，還包括位于所述敏感膜片中的多個敏感電阻。

3.根據權利要求2所述的MEMS結構，其特征在于，還包括圍繞所述空腔的阱區。

4.根據權利要求3所述的MEMS結構，其特征在于，所述敏感膜片包括：

形成所述敏感膜片的框架的第一摻雜區；以及

位于所述第一摻雜區上的外延層，

其中，所述第一摻雜區形成網格圖案，所述外延層覆蓋所述第一摻雜區，并且填充所述網格圖案的網孔以封閉所述空腔。

5.根據權利要求4所述的MEMS結構，其特征在于，所述第一摻雜區的結深小于所述阱區的結深。

6.根據權利要求4所述的MEMS結構，其特征在于，所述多個敏感電阻為所述外延層中的摻雜區。

7.根據權利要求2所述的MEMS結構，其特征在于，還包括：

互連結構，穿過所述層間介質層和所述停止層連接所述多個敏感電阻。

8.根據權利要求7所述的MEMS結構，其特征在于，所述多個敏感電阻互連成惠斯通電橋。

9.根據權利要求4所述的MEMS結構，其特征在于，所述半導體襯底和所述敏感電阻為第一摻雜類型，所述阱區、所述第一摻雜區為第二摻雜類型，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型相反。

10.根據權利要求9所述的MEMS結構，其特征在于，所述第一摻雜類型為P型，所述第二摻雜類型為N型。