[實用新型]太赫茲探測器有效
| 申請號: | 201822243302.8 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN209232819U | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發明(設計)人: | 趙自然;王迎新;陳猛;馬旭明 | 申請(專利權)人: | 同方威視技術股份有限公司;清華大學 |
| 主分類號: | H01L37/02 | 分類號: | H01L37/02;G01J5/12 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 張啟程 |
| 地址: | 100084 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溝道材料 太赫茲探測器 石墨烯 三維 探測單元 電極 探測器 基底 響應靈敏度 歐姆接觸 太赫茲波 吸收體 有效地 地熱 吸收 | ||
1.一種太赫茲探測器,其特征在于,包括:
基底;以及
至少一個探測單元,每個所述探測單元均包括:
溝道材料,所述溝道材料設置在所述基底上,
兩個電極,兩個所述電極分別與所述溝道材料的縱向方向的兩端歐姆接觸,和
三維石墨烯,所述三維石墨烯與所述溝道材料直接或間接地熱接觸。
2.根據權利要求1所述的太赫茲探測器,其中,所述三維石墨烯與所述溝道材料的一端直接或間接地熱接觸。
3.根據權利要求2所述的太赫茲探測器,其中,所述三維石墨烯設置在所述溝道材料與所述電極的接觸處。
4.根據權利要求1所述的太赫茲探測器,其中,所述基底呈U形結構,所述溝道材料的縱向方向的兩端分別固定在所述U形結構的兩個側部上,所述三維石墨烯設置在所述U形結構的底部和所述溝道材料之間。
5.根據權利要求1所述的太赫茲探測器,其中,所述三維石墨烯粘合到所述溝道材料上。
6.根據權利要求1所述的太赫茲探測器,其中,每個所述電極的兩端在垂直于所述溝道材料的縱向方向上延伸到所述溝道材料的外側,并與所述基底連接。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的太赫茲探測器,其中,所述三維石墨烯呈長方體結構,所述長方體結構的長邊平行于所述溝道材料的縱向方向。
8.根據權利要求1所述的太赫茲探測器,其中,所述基底包括間隔一定距離設置的第一基底和第二基底,每個所述探測單元的所述溝道材料的縱向方向的第一端與所述第一基底連接,所述溝道材料的縱向方向的第二端從所述第二基底的遠離所述第一基底的一側伸出,每個所述探測單元的兩個所述電極分別設置在所述第一基底和所述第二基底上,所述三維石墨烯設置在所述第二基底上,并與所述溝道材料的從所述第二基底穿出的第二端熱接觸。
9.根據權利要求1所述的太赫茲探測器,其中,所述基底包括第一基底以及與所述第一基底間隔一定距離設置的至少一個第二基底,所述至少一個探測單元與所述至少一個第二基底一一對應設置,其中每個所述探測單元的所述溝道材料設置在所述第二基底上,每個所述探測單元的兩個所述電極的第一端與所述第一基底連接,并從所述第一基底的遠離所述第二基底的一側伸出,兩個所述電極的第二端與設置在所述第二基底上的溝道材料的縱向方向的兩端歐姆接觸,所述三維石墨烯設置在所述第二基底上。
10.根據權利要求9所述的太赫茲探測器,其中,還包括絕緣導熱層,所述絕緣導熱層設置在所述溝道材料和所述三維石墨烯之間。
11.根據權利要求9所述的太赫茲探測器,其中,每個所述電極的第一端均設置有漸縮的針腳結構。
12.根據權利要求8-11中任一項所述的太赫茲探測器,其中,多個所述探測單元呈面陣排布或線陣排布。
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