[實用新型]一種基于無線充電的肖特基二極管及整流電路有效
| 申請號： | 201822242913.0 | 申請日： | 2018-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN209515672U | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | 劉奕晨;李薇 | 申請（專利權）人： | 深圳市富盛電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京艾皮專利代理有限公司 11777 | 代理人： | 馮鐵惠 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 肖特基二極管 無線充電 本實用新型 整流電路 金屬層 襯底 肖特基接觸 閂鎖效應 內嵌 預設 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于無線充電的肖特基二極管，其特征在于，包括：SiO2襯底(001)、第一Ge層(002)、第一N型Ge層(010)、第二N型Ge層(006)、鋁Al金屬層(007)和鎢W金屬層(009)，其中，
所述第一Ge層(002)設置在所述SiO2襯底(001)的表面；
所述第一N型Ge層(010)設置在所述第一Ge層(002)的表面；
所述第二N型Ge層(006)內嵌在所述第一N型Ge層(010)中；
所述Al金屬層(007)設置在所述第二N型Ge層(006)的表面上；
所述W金屬層(009)設置在所述第一N型Ge層(010)的表面的預設的肖特基接觸指定區域內。
2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，
所述第一Ge層(002)的厚度為200nm。
3.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，
所述Al金屬層(007)和所述W金屬層(009)的厚度均為10～20nm。
4.一種整流電路，其特征在于，所述整流電路包括如權利要求1～3任一項所述的肖特基二極管。
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