[實用新型]高純正硅酸乙酯負壓取樣裝置

有效

• 申請號: 201822240314.5
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209311147U
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 金向華;許軍州;王新喜;師東升
• 申請（專利權）人: 蘇州金宏氣體股份有限公司
• 主分類號: G01N1/14
• 分類號: G01N1/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

本實用新型提供了一種高純正硅酸乙酯負壓取樣裝置，包括：回流管道，所述回流管道與高純正硅酸乙酯精餾塔的塔頂相連通；取樣管道；所述取樣管道與回流管道的最低點相連通；取樣柜；所述取樣管道的出口位于取樣柜內。與現有技術相比，本實用新型通過高度差抵消負壓，采用自留的方式取樣，從而無需增加外力泵等設備，避免了二次污染，節約成本，操作簡單容易。

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，尤其涉及一種高純正硅酸乙酯負壓取樣裝置。

背景技術

半導體工藝形成氧化層的方法主要有熱氧化(針對能形成自身穩定氧化層的半導體材料)、低壓化學氣相淀積(LPCVD)、等離子增強化學氣相淀積(PECVD)和常壓化學氣相淀積(APCVD)等，其中由于APCVD要求的氣流量大，且工藝產生顆粒相對較多，目前大多數半導體工藝已很少使用。

正硅酸乙酯(TEOS)用于LPCVD時，TEOS從液態蒸發成氣態，在700～750℃、300mTOR壓力下分解在硅片表面淀積生成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉積的速率可以達到50à/min，薄膜的厚度均勻性小于3％，這些優良的工藝特性和其在使用安全性方面的顯著特點已逐步成為沉積二氧化硅薄膜的主流工藝。

應用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技術實現二氧化硅在SiC晶片表面的淀積，可在一定程度上彌補SiC氧化層過薄和PECVD二氧化硅層過于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技術與高溫氧化技術的合理運用，既保證了氧化層介質的致密性和與SiC晶片的粘附能力，又提高了器件的電性能和成品率，同時避免了為獲得一定厚度氧化層長時間高溫氧化的不足。采用此技術后，SiC芯片的直流成品率得到提高，微波功率器件的對比流片結果顯示微波性能也得到了明顯的提升,功率增益比原工藝提高了1.5dB左右，功率附加效率提升了近10％。

現有高純正硅酸乙酯的整個制備過程中均在負壓下進行，精餾塔內的壓力只有10～50kPa，也就是所謂的負壓精餾，或稱為減壓精餾。在過程工藝分析中，需要對在線產品進行監控，以便得知產品是否符合工藝設計，特別對于連續性生產裝置中，實現在線產品質量的監控非常重要。

在負壓精餾中，如何實現取樣是個難題，常見的取樣方式有兩種：一種為取樣管線上加泵進行加壓，以使樣品正硅酸乙酯采取至取樣瓶內，但在此過程中可能會產生泵的污染，導致取樣不準確；另一種方式是取樣管線后端抽真空，以使管線內的壓力降低更低，從而可使樣品正硅酸乙酯流向低壓出，達到取樣的目的，但也易收到污染，且操作復雜。再者，上述兩種取樣方式在針對多處取樣點時需要增加多個泵，然后匯集到分析室進行分析，操作復雜。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型要解決的技術問題在于提供一種操作簡單且可避免污染的高純正硅酸乙酯負壓取樣裝置。

本實用新型提供了一種高純正硅酸乙酯負壓取樣裝置，包括：

回流管道，所述回流管道與高純正硅酸乙酯精餾塔的塔頂相連通；

取樣管道；所述取樣管道與回流管道的最低點相連通；

取樣柜；所述取樣管道的出口位于取樣柜內。

優選的，還包括第二回流管道；所述取樣管道通過第二回流管道與回流管道的最低點相連通。

優選的，所述回流管道的高度為高純正硅酸乙酯精餾塔高度的1/4～1/2；所述回流管道的寬度為回流管道高度的1/4～1/2。

優選的，取樣管道上設置有第一閥門與第二閥門；相對于第一閥門，所述第二閥門位于取樣導管的出口處。

優選的，所述回流管道上設置有流量計。

優選的，所述取樣柜設置有抽風過濾系統與送風過濾系統。