[實用新型]一種HBT器件有效
| 申請號： | 201822240136.6 | 申請日： | 2018-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN209169150U | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發明（設計）人： | 高懷;常穎;畢談;蔡士琦;丁杰 | 申請（專利權）人： | 蘇州英諾迅科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/737 | 分類號： | H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集電區 摻雜 本實用新型 漸變 熱效應 電場 偏置狀態 射頻電路 現實意義 自熱效應 大電流 電特性 發射區 耗盡區 集電結 重摻雜 熱源 基區 減小 延伸 保證 | ||
1.一種HBT器件，其特征在于，包括：
襯底；
位于襯底表面的次集電區；其中，所述次集電區的摻雜濃度沿從所述次集電區背向所述襯底一側指向所述次集電區朝向所述襯底一側的厚度方向逐漸升高；
位于所述次集電區背向所述襯底一側表面的集電區；
位于所述集電區背向所述襯底一側表面的基區；
位于所述基區背向所述襯底一側表面的發射區。
2.根據權利要求1所述的HBT器件，其特征在于，所述次集電區朝向所述集電區一側的摻雜濃度與所述集電區的摻雜濃度相同。
3.根據權利要求2所述的HBT器件，其特征在于，所述次集電區朝向所述襯底一側的摻雜濃度達到所述次集電區的最大摻雜容量。
4.根據權利要求1所述的HBT器件，其特征在于，所述次集電區為n型次集電區；所述集電區為n型集電區；所述基區為p型基區；所述發射區為n型發射區。
5.根據權利要求1所述的HBT器件，其特征在于，所述次集電區朝向所述集電區一側表面具有朝向所述集電區的第一臺階面，所述第一臺階面設置有集電極；所述基區朝向所述發射區一側表面具有朝向所述發射區的第二臺階面，所述第二臺階面設置有基極；所述發射區背向所述襯底一側表面設置有發射極。
6.根據權利要求1至5任一項權利要求所述的HBT器件，其特征在于，所述次集電區包括：
位于所述襯底表面的第一次集電區；
位于所述第一次集電區背向所述襯底一側表面的第二次集電區；其中，所述第二次集電區的摻雜濃度小于所述第一次集電區的摻雜濃度；
位于所述第二次集電區背向所述襯底一側表面的第三次集電區；其中，所述第三次集電區的摻雜濃度小于所述第二次集電區的摻雜濃度；所述第三次集電區背向所述襯底一側表面與所述集電區接觸。
7.根據權利要求6所述的HBT器件，其特征在于，所述第一次集電區的摻雜濃度為所述集電區的摻雜濃度的103至104倍，包括端點值。
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