[實用新型]一種用于無線能量傳輸的整流二極管有效
| 申請號: | 201822239595.2 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN209374457U | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | 李雯;李薇 | 申請(專利權)人: | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/872 | 分類號: | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/167;H01L29/161 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 劉長春 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市高新區高新路86號*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 外延層 襯底 無線能量傳輸 肖特基二極管 本實用新型 整流二極管 緩沖層 上表面 能量轉換效率 第二表面 第二電極 第一表面 第一電極 臺階表面 臺階結構 遷移率 脊狀 引入 | ||
本實用新型涉及一種用于無線能量傳輸的整流二極管,包括:Si襯底(101);Ge緩沖層(102),設置于所述Si襯底(101)的第一表面;外延層(103),設置于所述Ge緩沖層(102)的上表面,為脊狀臺階結構;SiGe層(104),設置于所述外延層(103)的臺階表面;第一電極(105),設置于所述外延層(103)的上表面;第二電極(106),設置于所述Si襯底(101)的第二表面。本實用新型通過在肖特基二極管的Ge層四周設置SiGe從而在Ge中引入應力,進而形成的肖特基二極管具有較高的遷移率,可大大提升能量轉換效率。
技術領域
本實用新型屬半導體器件制備技術領域,特別涉及一種用于無線能量傳輸的整流二極管。
背景技術
隨著科技的發展,目前,人們生活已經離不開各種電子設備以及汽車等,如手機、PDA、電話手表等大量的便攜式電子設備均需使用充電電池,而越來越普及的電動汽車等也需要充電電池;這些設備一旦電池電量耗盡,就需要及時充電。通常使用的充電器在工作時都是通過傳輸線與負載設備相連接,而各個廠商生產的充電器接口各不相同,因此可能存在電安全問題,而且經常會出現插接時接頭接觸不良,特別是在長期使用后,可能產生接觸不良等現象或故障;其次不同設備的充電接口不同,不能通用,如果用戶需要對多個設備同時充電,就要連接多個充電器,造成了使用的不便。于是一種感應式無線充電裝置應運而生。
無線充電裝置是基于無線能量傳輸系統(Wireless Power Transfer,WPT),一種能夠突破傳輸線限制輸送電能的裝置。隨著無線充電技術在生活中越來越廣泛的應用,提升無線充電能量傳輸轉換效率變的越來越重要,轉換效率的提高不僅有利節約能源,也可以提高充電速度。
隨著無線充電市場越來越激烈的競爭,提高無線充電的轉換效率無疑可以提高企業的競爭力,而在無線能量傳輸系統整流電路內的整流二極管,即整流天線內的肖特基二極管,決定著最高轉換效率的大??;因此制備一種高轉換效率整流二極管變的尤為重要。
實用新型內容
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種用于無線能量傳輸的整流二極管10,包括:
Si襯底101;
Ge緩沖層102,設置于所述Si襯底101的第一表面;
外延層103,設置于所述Ge緩沖層102的上表面,為脊狀臺階結構;
SiGe層104,設置于所述外延層103的臺階表面;
第一電極105,設置于所述外延層103的脊狀頂面;
第二電極106,設置于所述Si襯底101的第二表面。
在本實用新型的一個實施例中,所述Si襯底101為N型單晶Si襯底,摻雜濃度為1×1020cm-3,厚度為300~400μm。
在本實用新型的一個實施例中,所述Ge緩沖層102材料為N型Ge材料,摻雜濃度為1×1020cm-3,厚度為40~50nm。
在本實用新型的一個實施例中,所述外延層103材料為N型Ge材料,摻雜濃度為1.8×1014~2×1014cm-3,厚度為900~950nm。
在本實用新型的一個實施例中,所述外延層103材料為N型GeSn材料,摻雜濃度為1.8×1014~2×1014cm-3,厚度為800~1000nm。
在本實用新型的一個實施例中,所述外延層103脊狀頂面至臺階表面的高度與所述SiGe層104厚度一致。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安科銳盛創新科技有限公司,未經西安科銳盛創新科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822239595.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:帶有圓形OJ芯片的二極管
- 下一篇:半導體器件
- 同類專利
- 專利分類





