[實用新型]一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822233558.0
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209199953U
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設計）人: 林建偉;包杰;吳偉梁;劉志鋒;陳嘉;吳興華
• 申請（專利權）人: 泰州中來光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0368;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137
• 代理人: 朱黎光;李托弟

1.一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，包括N型晶體硅基體，所述N型晶體硅基體的背表面從內到外依次包括n+摻雜多晶硅層、背鈍化減反射薄膜、n+金屬電極；

所述N型晶體硅基體靠近所述n+摻雜多晶硅層的一側形成有摻雜多晶硅帶尾層。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，所述摻雜多晶硅帶尾層包括交替設置的第一帶尾區(qū)域和第二帶尾區(qū)域，所述第一帶尾區(qū)域厚度大于所述第二帶尾區(qū)域的厚度，所述n+金屬電極對應所述第一帶尾區(qū)域設置。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，所述n+摻雜多晶硅層包括第一多晶硅區(qū)域和第二多晶硅區(qū)域，所述第一多晶硅區(qū)域的厚度小于所述第二多晶硅區(qū)域的厚度；所述第一多晶硅區(qū)域對應所述第一帶尾區(qū)，所述第二多晶硅區(qū)域對應所述第二帶尾區(qū)域。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，所述第一多晶硅區(qū)域的摻雜濃度大于所述第二多晶硅區(qū)域的摻雜濃度。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，所述第一多晶硅區(qū)域的厚度為50～300nm，方塊電阻值為10～60Ω/sq；

所述第二多晶硅區(qū)域的厚度為150～400nm，方塊電阻值為30～200Ω/sq。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，所述N型晶體硅基體的背表面與所述n+摻雜多晶硅層之間還包括隧穿氧化層。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度為0.5～2.5nm。

8.根據(jù)權利要求1所述的一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，所述N型晶體硅基體的前表面從內到外依次包括p+摻雜發(fā)射極層、前鈍化減反射薄膜和p+金屬電極。

9.根據(jù)權利要求8所述的一種印刷金屬電極的鈍化太陽能電池，其特征在于，所述n+金屬電極和p+金屬電極均為“H”型柵線，主柵等間距設置4～12根，寬度100～800μm，高度為10～40μm；副柵等間距設置90～120根，寬度為20～60μm，高度為10～40μm。