[實(shí)用新型]一種基于磁場(chǎng)檢測(cè)的雙通道電流傳感器結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822230095.2
• 申請(qǐng)日: 2018-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209656765U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃海濱;殷曉宇;楊超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫思泰迪半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R15/20
• 分類(lèi)號(hào): G01R15/20;G01R19/00
• 代理公司: 32227 無(wú)錫盛陽(yáng)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 張寧;楊辰<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<

1.一種基于磁場(chǎng)檢測(cè)的雙通道電流傳感器結(jié)構(gòu)，其包括帶U形凹槽的導(dǎo)體，其特征在于，所述導(dǎo)體包括兩個(gè)且對(duì)稱布置，一個(gè)所述導(dǎo)體內(nèi)側(cè)的U形凹槽開(kāi)口內(nèi)垂直映射到上層位置處設(shè)置有一個(gè)第一內(nèi)側(cè)霍爾器件、外側(cè)垂直映射到上層位置處設(shè)置有第一外側(cè)霍爾器件，另一個(gè)所述導(dǎo)體內(nèi)側(cè)的U形凹槽開(kāi)口內(nèi)垂直映射到上層位置處設(shè)置有一個(gè)第二內(nèi)側(cè)霍爾器件、外側(cè)垂直映射到上層位置處設(shè)置有第二外側(cè)霍爾器件，所述第一內(nèi)側(cè)霍爾器件到所述第二內(nèi)側(cè)霍爾器件、第二外側(cè)霍爾器件的直線距離相等，所述第二內(nèi)側(cè)霍爾器件到所述第一內(nèi)側(cè)霍爾器件、第一外側(cè)霍爾器件的直線距離相等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于磁場(chǎng)檢測(cè)的雙通道電流傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)體對(duì)稱結(jié)構(gòu)，所述第一內(nèi)側(cè)霍爾器件、第二內(nèi)側(cè)霍爾器件位于所述導(dǎo)體的U形凹槽中心處且處于所述導(dǎo)體自身的對(duì)稱線上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于磁場(chǎng)檢測(cè)的雙通道電流傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一外側(cè)霍爾器件和/或所述第二外側(cè)霍爾器件包括以所述導(dǎo)體自身的對(duì)稱線對(duì)稱布置的兩個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于磁場(chǎng)檢測(cè)的雙通道電流傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，U形凹槽外側(cè)的所述導(dǎo)體處為圓弧面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于磁場(chǎng)檢測(cè)的雙通道電流傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)體為包括U形部和兩側(cè)對(duì)稱布置的左右對(duì)稱多邊形的異形導(dǎo)體。