[實用新型]一種抗氧化抗腐蝕的鏡片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822229905.2 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN209182540U | 公開(公告)日: | 2019-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊敏男;吳富章 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門美瀾光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B1/14 | 分類號: | G02B1/14;G02B1/04;G02C7/10;B32B17/00;B32B17/06;B32B33/00 |
| 代理公司: | 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218 | 代理人: | 劉小勤 |
| 地址: | 361022 福建省廈門市海*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 抗氧化 抗腐蝕 鏡片 金屬氧化物層 本實用新型 抗腐蝕層 變色層 打底層 膜層 低折射率薄膜層 圖案 硅鋁混合物 依次層疊 由內(nèi)向外 保護層 褪色 硒層 佩戴 視線 | ||
1.一種抗氧化抗腐蝕的鏡片,包括基片和設(shè)置在所述基片外表面的膜層,其特征在于:所述膜層包括由內(nèi)向外依次層疊的打底層、抗氧化抗腐蝕層、變色層和保護層,所述打底層由第一硅鋁混合物層和第二金屬氧化物層組成;所述抗氧化抗腐蝕層由第四硒層和第五金屬氧化物層組成,所述變色層由1-7層的金屬氧化物層和低折射率薄膜層交替組成;
其中,所述第二金屬氧化物層、第五金屬氧化物層為ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一種形成的鍍層;且所述金屬氧化物層為ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一種形成的鍍層,所述低折射率薄膜層為SiO2、真空鍍膜材料L5或MgF2中的任意一種形成的鍍層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片,其特征在于:所述基片為亞克力基片、聚碳酸酯基片、尼龍基片、CR-39基片或玻璃基片的任意一種;所述第一硅鋁混合物層為真空鍍膜材料L5形成的鍍層,所述保護層為防水材料形成的鍍層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片,其特征在于:所述打底層中所述第一硅鋁混合物層的厚度為50-150埃米;所述第二金屬氧化物層的厚度為100-200埃米;所述抗氧化抗腐蝕層中的第四硒層厚度為200-400埃米,第五金屬氧化物層厚度為100-1900埃米;所述變色層的厚度為1000-4000埃米;所述保護層的厚度為10-280埃米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片,其特征在于:所述打底層和所述抗氧化抗腐蝕層之間還設(shè)有圖案層,所述圖案層由圖案和第三硅鋁混合物層組成,其中所述圖案層中的圖案為油墨印刷圖案、銅模板貼合圖案或靜電貼貼合圖案中的任意一種;所述第三硅鋁混合物層為真空鍍膜材料L5形成的鍍層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片,其特征在于:所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片包括依次層疊的基片、第一硅鋁混合物層、第二金屬氧化物層、圖案、第三硅鋁混合物層、第四硒層、第五金屬氧化物層、第六低折射率薄膜層和防水層,其中第六低折射率薄膜層為SiO2、真空鍍膜材料L5或MgF2中的任意一種形成的鍍層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片,其特征在于:所述打底層中第一硅鋁混合物層厚度為80埃米,第二金屬氧化物層厚度為120埃米,第三硅鋁混合物層厚度為100埃米,第四硒層的厚度為200埃米,第五金屬氧化物層厚度為950埃米,第六低折射率薄膜層厚度為1000埃米,防水層厚度為150埃米。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片,其特征在于:所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片包括依次層疊的基片、第一硅鋁混合物層、第二金屬氧化物層、圖案、第三硅鋁混合物層、第四硒層、第五金屬氧化物層、第六低折射率薄膜層、第七金屬氧化物層、第八低折射率層和防水層,其中第七金屬氧化物層為ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一種形成的鍍層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗氧化抗腐蝕的鏡片,其特征在于:所述打底層中第一硅鋁混合物層的厚度為100埃米,第二金屬氧化物層的厚度為150埃米;所述圖案層中第三硅鋁混合物層的厚度為150埃米;所述抗氧化抗腐蝕層中的第四硒層厚度為300埃米,第五金屬氧化物層厚度為300埃米;所述變色層中第六低折射率薄膜層厚度為1500埃米,第七金屬氧化物層厚度為200埃米,第八低折射率層厚度為900埃米;所述保護層的厚度為200埃米。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門美瀾光電科技有限公司,未經(jīng)廈門美瀾光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822229905.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





