[實用新型]一種分布式射隨放大器

有效

• 申請號: 201822223040.9
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN209170315U
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 高懷;田婷;蔡士琦;王鋒;丁杰
• 申請（專利權）人: 蘇州英諾迅科技股份有限公司
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F3/68
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

1.一種分布式射隨放大器，其特征在于，包括N級晶體管、N個時延網絡及N個偏置網絡，N為不小于2的整數，其中：

第1級晶體管的第一端作為所述分布式射隨放大器的輸入端，第i級晶體管的第二端分別與第i+1級晶體管的第一端及第i偏置網絡的第一端連接，第i偏置網絡的第二端接地，第i級晶體管的第三端與第i時延網絡的第一端連接，1≤i≤N-1；第N級晶體管的第二端通過第N偏置網絡接地，第N級晶體管的第三端與第N時延網絡的第一端接連；所有時延網絡的第二端連接，且所有時延網絡的第二端連接的公共端作為所述分布式射隨放大器的輸出端；各級時延網絡用于補償各自所在級晶體管的第三端的輸出信號的相位，以使各級時延網絡的第二端的輸出信號的相位相同；

所述晶體管的第一端為基極或者柵極，相應地，所述晶體管的第二端為發射極或者源極，所述晶體管的第三端為集電極或者漏極。

2.如權利要求1所述的分布式射隨放大器，其特征在于，所述時延網絡包括傳輸線、電感、電容和有源晶體管中任意一種或者多種的組合；

則各級時延網絡具體用于通過改變所述傳輸線的特征阻抗和電長度，和/或，電感的感值，和/或，電容的容值，和/或，有源晶體管的尺寸或連接方式來補償各自所在級晶體管的第三端的輸出信號的相位，以使各級時延網絡的第二端的輸出信號的相位相同。

3.如權利要求1所述的分布式射隨放大器，其特征在于，所述偏置網絡包括電阻、電容、電感和有源器件中任意一種或者多種的組合。

4.如權利要求1所述的分布式射隨放大器，其特征在于，每級晶體管為一個晶體管或者多個晶體管的并聯。

5.如權利要求1所述的分布式射隨放大器，其特征在于，還包括：

設置于所有時延網絡的第二端連接的公共端與直流電源之間的扼流網絡。

6.如權利要求5所述的分布式射隨放大器，其特征在于，所述扼流網絡包括扼流電感和/或扼流傳輸線。

7.如權利要求1-6任一項所述的分布式射隨放大器，其特征在于，所述晶體管為雙極型晶體管。

8.如權利要求7所述的分布式射隨放大器，其特征在于，所述雙極型晶體管為雙極結型晶體管BJT或者異質結雙極型晶體管HBT或者絕緣柵場效應晶體管IGBT。

9.如權利要求1-6任一項所述的分布式射隨放大器，其特征在于，所述晶體管為單極型晶體管。

10.如權利要求9所述的分布式射隨放大器，其特征在于，所述單極型晶體管為高電子遷移率場效應晶體管HEMT或者贗配高電子遷移率場效應晶體管pHEMT或者金屬氧化物半導體晶體管MOS。