[實用新型]一種埋溝式SiC IGBT常關器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822220913.0
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN209471967U
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發(fā)明（設計）人: 謝龍飛;葉娜;曹琳;李碧珊
• 申請（專利權）人: 西安中車永電電氣有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/04
• 代理公司: 西安新動力知識產權代理事務所(普通合伙) 61245
• 代理人: 劉強

1.一種埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，該器件的結構包括p+襯底層(1)、n-漂移區(qū)(2)、p+注入?yún)^(qū)(3)、n-耗盡區(qū)(4)、p+隔離區(qū)(5)、p-生長區(qū)(6)、n注入?yún)^(qū)(7)、n+發(fā)射極區(qū)(8)和n埋溝區(qū)(9)；所述n-漂移區(qū)(2)設置于p+襯底層(1)頂部，所述p+注入?yún)^(qū)(3)和n-耗盡區(qū)(4)設置于n-漂移區(qū)(2)頂部，所述p+隔離區(qū)(5)和p-區(qū)(6)設置在p+注入?yún)^(qū)(3)頂部，所述n注入?yún)^(qū)(7)設置在n-耗盡區(qū)(4)頂部，所述n+發(fā)射極區(qū)(8)設置在p-生長區(qū)(6)頂部，所述n埋溝區(qū)(9)設置在p-生長區(qū)(6)和n注入?yún)^(qū)(7)頂部。

2.根據(jù)權利要求1所述的埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，所述p+襯底層(1)的厚度為5μm。

3.根據(jù)權利要求1所述的埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，所述n-漂移區(qū)(2)的厚度為9μm。

4.根據(jù)權利要求1所述的埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，所述p+注入?yún)^(qū)(3)、n-耗盡區(qū)(4)、p-生長區(qū)(6)、n注入?yún)^(qū)(7)、n+發(fā)射極區(qū)(8)和n埋溝區(qū)(9)的厚度均為0.5μm。

5.根據(jù)權利要求1所述的埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，所述p+隔離區(qū)(5)的厚度為1.0μm。

6.根據(jù)權利要求1所述的埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，所述p+襯底層(1)的摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3。

7.根據(jù)權利要求1所述的埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，所述n-漂移區(qū)(2)的摻雜濃度為2×10¹⁶cm^-3，所述p+注入?yún)^(qū)(3)的摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3，n-耗盡區(qū)(4)的摻雜濃度為2×10¹⁶cm^-3，所述p-生長區(qū)(6)的摻雜濃度為5×10¹⁵cm^-3。

8.根據(jù)權利要求1所述的埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，所述n注入?yún)^(qū)(7)的摻雜濃度為2×10¹⁶cm^-3，所述n埋溝區(qū)(9)的摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3。

9.根據(jù)權利要求1所述的埋溝式SiC IGBT常關器件，其特征在于，所述p+隔離區(qū)(5)和n+發(fā)射極區(qū)(8)的摻雜濃度均為1×10¹⁸cm^-3。