[實(shí)用新型]一種氮化硅定位塊及定位塊組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822210223.7
• 申請(qǐng)日: 2018-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN209228824U
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜建周;高巍;謝宇;劉治偉;杜培遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鹽城宇欣陶瓷科技有限公司
• 主分類號(hào): F16B21/06
• 分類號(hào): F16B21/06
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王術(shù)蘭

1.一種氮化硅定位塊，其特征在于，包括安裝部和卡接部，所述安裝部上設(shè)置有多個(gè)安裝孔和多個(gè)卡槽，多個(gè)所述安裝孔沿所述安裝部的長(zhǎng)度方向間隔設(shè)置，所述卡槽沿所述安裝部的高度方向相對(duì)于所述安裝部凹陷，所述卡槽沿所述安裝部的寬度方向相對(duì)于所述安裝部延伸，多個(gè)所述卡槽間隔設(shè)置，且相鄰的所述安裝孔之間至少有一個(gè)所述卡槽，所述卡接部卡接于其中一個(gè)所述卡槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅定位塊，其特征在于，相鄰的兩個(gè)所述安裝孔之間設(shè)置一個(gè)所述卡槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化硅定位塊，其特征在于，所述安裝孔設(shè)置為四個(gè)，所述卡槽設(shè)置為三個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅定位塊，其特征在于，所述卡槽的一端延伸至所述安裝部的端面，所述卡槽的另一端與所述安裝部的另一側(cè)端面間隔設(shè)置，所述安裝部上設(shè)置有控制槽和控制塊，所述控制槽包括第一槽和第二槽，所述第一槽沿所述安裝部的高度方向凹陷，所述第二槽的兩端分別與所述第一槽和所述卡槽連通，所述控制塊位于所述第一槽內(nèi)，且所述控制塊與所述安裝部滑動(dòng)連接，所述控制塊沿所述第一槽的凹陷方向相對(duì)于所述安裝部滑動(dòng)，所述卡接部上設(shè)置有卡接塊，所述卡接塊位于所述卡接部的側(cè)壁，所述卡接塊能夠沿所述第二槽伸入所述第一槽內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化硅定位塊，其特征在于，所述第一槽的底面與所述卡槽的底面相平。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化硅定位塊，其特征在于，所述控制塊的寬度與所述卡接部的寬度相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化硅定位塊，其特征在于，所述卡接塊包括第一塊和第二塊，所述第一塊與所述卡接部連接，所述第二塊位于所述第一塊遠(yuǎn)離所述卡接部的一端，所述第二塊的橫截面大于所述第一塊的橫截面，所述第二塊的高度小于所述第二槽的高度，且當(dāng)所述卡接部卡接于所述卡槽時(shí)，所述第二塊的頂面高于所述第二槽的頂面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化硅定位塊，其特征在于，所述第二塊遠(yuǎn)離所述第一塊的一端設(shè)置有斜面，所述斜面沿所述第一塊朝向所述第二塊的方向向內(nèi)傾斜。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化硅定位塊，其特征在于，所述控制塊的側(cè)壁上設(shè)置有限位塊，所述限位塊卡接于所述安裝部。

10.一種定位塊組件，其特征在于，包括多個(gè)如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的氮化硅定位塊。