[實用新型]一種P型單晶硅電池正面鍍膜結構

有效

• 申請號: 201822208379.1
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN209328908U
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 霍亭亭;魏青竹;倪志春;連維飛;胡黨平
• 申請（專利權）人: 蘇州騰暉光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京精金石知識產權代理有限公司 11470
• 代理人: 張黎

1.一種P型單晶硅電池正面鍍膜結構，包括晶硅正面膜，所述晶硅正面膜包括在所述P型單晶硅電池正面依次沉積的磷擴散層，SiO₂層，摻P多晶硅層，SiNx層，銀電極柵線；其特征在于，摻P多晶硅層在銀電極柵線處局部沉積，SiNx層整面沉積在最外層；其中，磷擴散層的上邊緣呈直線形或波浪形；SiO₂層呈直線形或波浪形，且與磷擴散層的上邊緣形狀相同。

2.根據權利要求1所述的P型單晶硅電池正面鍍膜結構，其特征在于，所述SiO₂層的厚度為1-4nm；所述摻P多晶硅層的厚度為10-30nm；所述SiNx層的厚度為60-100nm。

3.根據權利要求1所述的P型單晶硅電池正面鍍膜結構，其特征在于，所述銀電極柵線為絲網印刷，銀電極柵線包括正面主柵和正面細柵。

4.根據權利要求3所述的P型單晶硅電池正面鍍膜結構，其特征在于，所述摻P多晶硅層的圖形和絲網印刷的銀電極柵線的圖形相配合，使后續印刷的銀電極柵線套印在沉積的摻P多晶硅層圖形內；所述摻P多晶硅層的寬度和長度均大于正面銀電極柵線；

其中，摻P多晶硅在細柵處的寬度比細柵的寬度多0.008-0.02mm，在細柵處的長度比細柵的長度多0.6-0.85mm，在主柵處的寬度比主柵的寬度多0.2-0.3mm，長度比主柵的長度多2.71-3.71mm。