[實用新型]一種背光半導體光電類芯片

有效

• 申請號: 201822204173.1
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN209298122U
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 黃海華;陳劍;路小龍;劉期斌;張偉;姚超;向秋澄;孔繁林;寇先果;咼長冬;鄧世杰;袁菲
• 申請（專利權）人: 西南技術物理研究所
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 中國兵器工業集團公司專利中心 11011
• 代理人: 劉瑞東

本實用新型屬于半導體光電類芯領域，具體涉及一種背光半導體光電類芯片，所述背光半導體光電類芯片包括墊片、芯片、背電極、導電銀膠和引線；墊片中心處設有通孔；在通孔側壁以及墊片一側上下兩面設有導通的金層作為引線框架；芯片通過樹脂膠將粘接到墊片上且側壁涂敷樹脂膠；背電極固定在芯片上且朝向通孔；導電銀膠灌注在通孔內且固化定型；將背電極過渡到墊片或印制電路板上。引線焊接在引線框架上。本實用新型結構簡單，通過制備架橋墊片將背電極架空，再采用銀漿灌注及固化的方式將背電極引出，最后采用引線焊接的方式完成信號采集，實現半導體光電芯片單管(陣列)與讀出電路的互連。

技術領域

本實用新型屬于半導體光電類芯領域，具體涉及一種背光半導體光電類芯片。

技術背景

對半導體光電類芯片，為避免信號電極對芯片進/出光(即進光或出光)的干擾，降低結電容，常采用信號電極和進/出光方向背離的形式制備芯片電極，即所謂的背電極。尤其是對于高速類光電探測器、陣列類半導體光電芯片而言，背電極方案顯得尤為必要。

陣列類半導體光電芯片與讀出電路互連通常有兩種技術途徑，即通孔互連和倒裝焊。通孔互連技術在每個單元旁刻蝕通孔，并在單元正電極及孔內壁依次沉淀鈍化層和金屬層，通過壓焊方式將孔底金屬層與讀出電路電極的銦柱相連接，最終實現每個單元正電極與對應電路電極的互連。但此技術存在以下兩個技術難點：1)為便于實現通孔刻蝕、鈍化層和金屬層的沉積，通常需要將陣列芯片減薄至50～70μm厚，厚度偏差≤±0.5μm，并保證芯片完整性和平整性；2)通孔內壁的鈍化層需滿足耐壓要求，不出現漏電情況。另一種實現半導體光電芯片與讀出電路互連的技術途徑是倒裝焊，它是采用分別在單元正電極和讀出電路相應電極上生長銦柱，再通過壓焊的方式實現單元正電極與讀出電路電極的互連?；诘寡b互連實現背進光的方式是目前激光焦平面探測器的主流工作方式，但該技術存在設備依賴性強，成本較高等問題。

實用新型內容

(一)要解決的技術問題

本實用新型要解決的技術問題是：現有半導體光電類芯片倒裝互連實現背進光的方式設備依賴性強，成本較高。

(二)技術方案

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種背光半導體光電類芯片。

一種背光半導體光電類芯片，包括墊片、芯片、背電極、導電銀膠和引線；

墊片中心處設有通孔；在通孔側壁以及墊片一側上下兩面設有導通的金層作為引線框架；

芯片通過樹脂膠將粘接到墊片上且側壁涂敷樹脂膠；

背電極固定在芯片上且朝向通孔；

導電銀膠灌注在通孔內且固化定型；

引線焊接在引線框架上。

進一步，所述金層3厚度3～7μm。

進一步，所述樹脂膠4為環氧樹脂膠。

進一步，所述墊片大小為2mm×2mm×0.2mm，通孔2直徑150μm。

(三)有益效果

與現有技術相比較，本實用新型具備如下有益效果：

本實用新型結構簡單，架橋墊片將背電極架空，采用銀漿灌注及固化的方式將背電極引出，最后采用引線焊接的方式完成信號采集，實現半導體光電芯片單管(陣列)與讀出電路的互連。

附圖說明

圖1為背光半導體光電類芯片示意圖；

圖2為制備背光半導體光電類芯片過程示意圖。

具體實施方式