[實(shí)用新型]非線性反饋電路及采用其的低噪聲放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201822202672.7
• 申請(qǐng)日: 2018-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN209375591U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋佳穎;蔣一帆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京米樂為微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H03F3/21
• 分類號(hào): H03F3/21;H03F1/30
• 代理公司: 南京中律知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32341
• 代理人: 沈振濤

1.非線性反饋電路，其特征在于：包括至少一個(gè)二極管；當(dāng)二極管只有一個(gè)時(shí)，二極管的陰極用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極，二極管的陽極用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極；當(dāng)二極管有兩個(gè)或者兩個(gè)以上時(shí)，所有二極管都是串聯(lián)的，其中，第一個(gè)二極管的陽極用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極，第一個(gè)二極管的陰極連接第二個(gè)二極管的陽極，最后一個(gè)二極管的陰極用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性反饋電路，其特征在于：還包括第一電阻R1；當(dāng)二極管只有一個(gè)時(shí)，第一電阻R1的一端連接二極管的陰極；當(dāng)二極管有兩個(gè)或者兩個(gè)以上時(shí)，第一電阻R1的一端連接最后一個(gè)二極管的陰極；第一電阻R1的另一端用于接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性反饋電路，其特征在于：還包括第二電阻R2；當(dāng)二極管只有一個(gè)時(shí)，第二電阻R2與二極管串聯(lián)，第二電阻R2與二極管組成的串聯(lián)電路的一端用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極，第二電阻R2與二極管組成的串聯(lián)電路的另一端用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極；當(dāng)二極管有兩個(gè)或者兩個(gè)以上時(shí)，第二電阻R2與所有二極管均串聯(lián)，第二電阻R2與所有二極管組成的串聯(lián)電路的一端用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極，第二電阻R2與所有二極管組成的串聯(lián)電路的另一端用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性反饋電路，其特征在于：還包括第三電阻R3和第一電感L1；當(dāng)二極管只有一個(gè)時(shí)，第三電阻R3的一端連接二極管的陰極，第一電感L1的一端連接二極管的陽極；當(dāng)二極管有兩個(gè)或者兩個(gè)以上時(shí)，第三電阻R3的一端連接最后一個(gè)二極管的陰極，第一電感L1的一端連接第一個(gè)二極管的陽極；第三電阻R3的另一端用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極，第一電感L1的另一端用于連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性反饋電路，其特征在于：還包括第一電容C1和第二電容C2；當(dāng)二極管只有一個(gè)時(shí)，第一電容C1的一端連接二極管的陽極，第二電容C2的一端連接二極管的陰極；當(dāng)二極管有兩個(gè)或者兩個(gè)以上時(shí)，第一電容C1的一端連接第一個(gè)二極管的陽極，第二電容C2的一端連接最后一個(gè)二極管的陰極；第一電容C1的另一端和第二電容C2的另一端均用于接地。

6.低噪聲放大器，其特征在于：包括增強(qiáng)型pHemt管Q1和非線性反饋電路，非線性反饋電路包括至少一個(gè)二極管，增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極連接所述至少一個(gè)二極管：當(dāng)二極管只有一個(gè)時(shí)，二極管的陰極連接增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極，二極管的陽極和增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極均連接電壓源DC1的一端；當(dāng)二極管有兩個(gè)或者兩個(gè)以上時(shí)，第一個(gè)二極管的陽極和增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極均連接電壓源DC1的一端，第一個(gè)二極管的陰極連接第二個(gè)二極管的陽極，最后一個(gè)二極管的陰極連接增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極；增強(qiáng)型pHemt管Q1的源極和電壓源DC1的另一端均接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低噪聲放大器，其特征在于：還包括第一電阻R1；當(dāng)二極管只有一個(gè)時(shí)，第一電阻R1的一端連接二極管的陰極；當(dāng)二極管有兩個(gè)或者兩個(gè)以上時(shí)，第一電阻R1的一端連接最后一個(gè)二極管的陰極；第一電阻R1的另一端接地。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低噪聲放大器，其特征在于：還包括第二電阻R2；當(dāng)二極管只有一個(gè)時(shí)，第二電阻R2與二極管串聯(lián)，第二電阻R2與二極管組成的串聯(lián)電路的一端連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極，第二電阻R2與二極管組成的串聯(lián)電路的另一端連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極；當(dāng)二極管有兩個(gè)或者兩個(gè)以上時(shí)，第二電阻R2與所有二極管均串聯(lián)，第二電阻R2與所有二極管組成的串聯(lián)電路的一端連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的漏極，第二電阻R2與所有二極管組成的串聯(lián)電路的另一端連接低噪聲放大器中增強(qiáng)型pHemt管Q1的柵極。