[實用新型]一種高純正硅酸乙酯的生產系統

有效

• 申請號: 201822192807.6
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN209307257U
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 金向華;孫猛;王新喜;師東升
• 申請（專利權）人: 蘇州金宏氣體股份有限公司
• 主分類號: C07F7/04
• 分類號: C07F7/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

本實用新型提供了一種高純正硅酸乙酯的生產系統，包括：水分吸附裝置；所述水分吸附裝置包括正硅酸乙酯粗品入口與出口；金屬離子改性裝置；所述水分吸收裝置的出口與所述金屬離子改性裝置相連通；蒸餾塔；所述蒸餾塔與金屬離子改性裝置相連通。與現有技術相比，本實用新型將除去水分的正硅酸乙酯經金屬離子改性材料處理后，將其中的含磷和/或含硼的輕組分物質轉化為重組分化合物，再經蒸餾塔蒸餾后即可得到高純正硅酸乙酯，生產方法易于操作，自動化程度高，可進行連續生產，工作效率高且得到的產品質量也較高，同時僅需蒸餾也降低了能耗，節能降本。

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，尤其涉及一種高純正硅酸乙酯的生產系統。

背景技術

半導體工藝形成氧化層的方法主要有熱氧化(針對能形成自身穩定氧化層的半導體材料)、低壓化學氣相淀積(LPCVD)、等離子增強化學氣相淀積(PECVD)和常壓化學氣相淀積(APCVD)等，其中由于APCVD要求的氣流量大，且工藝產生顆粒相對較多，目前大多數半導體工藝已很少使用。

正硅酸乙酯(TEOS)用于LPCVD時，TEOS從液態蒸發成氣態，在 700～750℃、300mTOR壓力下分解在硅片表面淀積生成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉積的速率可以達到50à/min，薄膜的厚度均勻性小于3％，這些優良的工藝特性和其在使用安全性方面的顯著特點已逐步成為沉積二氧化硅薄膜的主流工藝。

應用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技術實現二氧化硅在SiC晶片表面的淀積，可在一定程度上彌補SiC氧化層過薄和PECVD二氧化硅層過于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技術與高溫氧化技術的合理運用，既保證了氧化層介質的致密性和與SiC晶片的粘附能力，又提高了器件的電性能和成品率，同時避免了為獲得一定厚度氧化層長時間高溫氧化的不足。采用此技術后，SiC芯片的直流成品率得到提高，微波功率器件的對比流片結果顯示微波性能也得到了明顯的提升，功率增益比原工藝提高了1.5dB左右，功率附加效率提升了近10％。

公開號為CN201310747619.4的中國專利公開了一種電子級正硅酸乙酯的制備方法，該方法先用絡合劑絡合原料中大部分金屬雜質后，用0.1微米的微孔過濾器過濾，然后依次通過陽離子交換塔、石英板式蒸餾塔、亞沸蒸餾器，嚴格控制溫度，去除微量金屬雜質、乙醇及其他有機雜質和水分，但采用絡合劑易引用新的金屬離子雜質，且通過亞沸蒸餾的方式加工難度大、能耗高、效率低，從而使得產品的生產成本增加，且不能連續生產。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型要解決的技術問題在于提供一種可連續生產且成本較低的高純正硅酸乙酯的生產系統。

本實用新型提供了一種高純正硅酸乙酯的生產系統，包括：

水分吸附裝置；所述水分吸附裝置包括正硅酸乙酯粗品入口與出口；

金屬離子改性裝置；所述水分吸收裝置的出口與所述金屬離子改性裝置相連通；

蒸餾塔；所述蒸餾塔與金屬離子改性裝置相連通。

優選的，還包括冷凝裝置；所述冷凝裝置與蒸餾塔的塔頂相連通。

優選的，還包括二級蒸餾塔與第二冷凝裝置；所述二級蒸餾塔與所述冷凝裝置相連通；所述二級蒸餾塔的塔頂與第二冷凝裝置相連通。

優選的，還包括三級蒸餾塔與第三冷凝裝置；所述三級蒸餾塔與所述第二冷凝裝置相連通；所述三級蒸餾塔的塔頂與第三冷凝裝置相連通。

優選的，還包括金屬離子靜電吸附裝置，所述金屬離子靜電吸附裝置與所述第三冷凝裝置相連通。

優選的，所述金屬離子靜電吸附裝置內設置有負電極板；所述負電極板與電源的負極相連接；所述電源的正極接地。

優選的，所述負電極板的寬度為0.1～0.5米；長度為0.5～2米。