[實用新型]背入射式陣列光電芯片及其電連接結構有效
| 申請號: | 201822183940.5 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN209401645U | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 劉宏亮;楊彥偉;鄒顏;劉格 | 申請(專利權)人: | 深圳市芯思杰智慧傳感技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/09 | 分類號: | H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 分光 監控單元 入射光 背入射式 光電芯片 光敏區 透光槽 吸收層 電連接結構 光電轉換 光路系統 本實用新型 光電轉換區 光功率監控 光分路器 一端連接 頂層 透射 分出 減小 背面 開口 貫穿 | ||
1.一種背入射式陣列光電芯片,其特征在于:包括襯底、吸收層和頂層;
所述芯片還包括多個分光監控單元,每個所述分光監控單元包括透光槽、光敏區和第一電極;所述透光槽向所述芯片任一表面的方向開口并貫穿所述吸收層和所述頂層;所述頂層內設有光敏區并一端連接至所述吸收層;所述吸收層內對應所述光敏區的區域為光電轉換區;所述第一電極設于所述芯片的正面并與對應的所述光敏區的另一端相連接;多個所述分光監控單元的光敏區間隔設置,多個所述分光監控單元的第一電極相互絕緣設置;
所述芯片的背面上還設有至少一個第二電極,所述第二電極與所述襯底相連接;
以所述芯片的背面為入光側,多束入射光射向所述芯片;每束入射光的一部分從對應的所述分光監控單元的透光槽透射分出,每束入射光的另一部分進入到對應的所述分光監控單元的光電轉換區內進行光電轉換。
2.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片正面的邊緣上還設有多個與所述分光監控單元一一對應的電極焊盤,每個所述分光監控單元的第一電極通過對應一個電極連接線電連接至對應的所述電極焊盤;
多個所述電極連接線之間相互絕緣設置;
多個所述電極焊盤之間相互絕緣設置。
3.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于:所述襯底與所述吸收層之間還設有緩沖層,所述透光槽向所述芯片正面的方向開口,所述透光槽還貫穿所述頂層并內端位于所述緩沖層。
4.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于:相鄰兩個所述分光監控單元的中心間距大于100um且小于5000um。
5.根據權利要求2所述的芯片,其特征在于:相鄰兩個所述電極焊盤的中心間距大于30um且小于1000um;相鄰兩個所述電極連接線的間距大于5um。
6.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片的背面設有多個與所述分光監控單元一一對應的入光增透膜,每個所述入光增透膜的面積大于對應的所述分光監控單元的透光槽和光敏區分別沿平行于所述芯片表面方向的橫截面積的總和。
7.根據權利要求3所述的芯片,其特征在于:所述透光槽的內端設有出光增投膜。
8.根據權利要求6所述的芯片,其特征在于:所述芯片的背面設有一個所述第二電極,所述第二電極上開設有多個與所述入光增透膜一一對應的第二電極孔,每個所述入光增透膜位于對應的所述第二電極孔內。
9.根據權利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片的正面上設有鈍化膜,所述鈍化膜上開設有多個與所述第一電極一一對應的第一電極孔,每個所述第一電極位于對應的所述第一電極孔內。
10.一種背入射式陣列光電芯片的電連接結構,其特征在于:包括背入射式陣列光電芯片、第一電路板和第二電路板,所述背入射式陣列光電芯片為權利要求1-9任一所述的芯片;每個所述分光監控單元的第一電極分別與所述第一電路板電連接,所述第二電路板由透明材料制成并設有電路走線;所述第二電路板設于所述芯片的背面,所述第二電極與所述第二電路板上的走線相電連接,所述第一電路板和所述第二電路板再分別電連接至電源的兩極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





