[實用新型]反應室

有效

• 申請號: 201822182152.4
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN209307485U
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發明（設計）人: 楊專青;馬五吉;龔恒翔
• 申請（專利權）人: 重慶理工大學
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54;C23C16/52
• 代理公司: 重慶市諾興專利代理事務所(普通合伙) 50239
• 代理人: 劉興順

本實用新型公開一種反應室，反應室本體內水平設有反應腔，上升降板的上板面沿反應腔長度方向并排固定有一組上碘鎢燈，該上碘鎢燈的長度方向朝反應室本體的前、后側壁，下升降板下板面對應上碘鎢燈固定有一組下碘鎢燈；上、下升降板之間的區域為反應區，而下升降板的上板面配設有多組不同厚度的襯底模板，該襯底模板上的安裝孔用于放置相應厚度的襯底。本案增設了上、下升降板，這樣就便于根據需要調整上、下升降板之間的間距，也能使襯底模板的頂面與反應腔的下壁平齊，這樣就能避免反應區處的氣流場畸變。有效保證薄膜的制備質量。

技術領域

本實用新型屬于薄膜制造領域，尤其涉及一種反應室。

背景技術

薄膜材料具有廣泛的用途，現有的鍍膜方法主要有化學氣相沉積法(簡稱 CVD)和物理氣相沉積法(簡稱PVD)這兩大類，且每一類鍍膜方法又因為材料特征等因素而細分出很多小類的鍍膜方法。目前，常規的CVD沉積法前驅體為全氣相物，輸入到反應裝置的反應區受熱或受到其他物理場的激發后發生化學反應，并沉積在襯底表面，且CVD方法適合制備高質量的薄膜，但是成本高，薄膜沉積速度慢，大部分CVD工藝需要在真空環境下進行。襯底有多種結構，比如平面襯底和非平面襯底，目前平面襯底常常直接放置在反應區的底平面上，且反應區的高度差不可調節。另外，現有的反應室不好控制和調整反應區的溫度場，進而無法保證成膜質量。

現有技術的缺陷是：

1、現有技術中平面襯底常常直接放置在反應區的底平面上，我們發現反應區近襯底表面的氣流場會因為襯底的厚度原因發生“畸變”現象，襯底的厚度越厚“畸變”現象越顯著，從而導致氣流場突變，這樣會嚴重地影響薄膜的成膜質量。

2、現有技術不好控制反應區的溫度場，進而難于保證成膜質量。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種反應室，欲防止平面襯底近表面的氣流場發生“畸變”現象。

本實用新型的技術方案如下：一種反應室，其特征在于：包括反應室本體 (1)和襯底模板(8)，其中反應室本體(1)的側壁為雙層中空結構，中間的空腔為水冷腔，且反應室本體(1)的外壁上接有與該水冷腔連通的進水管和出水管；所述反應室本體(1)頂部敞口，該敞口能夠由密封蓋(2)密封，而密封蓋(2)上設有水冷卻腔，且密封蓋(2)上接有與該水冷卻腔連通的進水管和出水管；所述反應室本體(1)內水平設有反應腔(3)，該反應腔左端的進口固定在反應室本體(1)左側壁上的安裝孔中，反應腔(3)右端的出口裝在所述反應室本體(1)右側壁上的安裝孔中；所述反應腔(3)為矩形腔，該反應腔上壁與下壁之間的間距在5mm以內；所述反應腔(3)中部的上缺口處設有上升降板(4)，該反應腔中部的下缺口處對應上升降板(4)設有下升降板(5)；所述上升降板(4)的上板面沿反應腔(3)長度方向并排固定有一組上碘鎢燈 (6)，該上碘鎢燈的長度方向朝所述反應室本體(1)的前、后側壁，所述下升降板(5)下板面對應上碘鎢燈(6)固定有一組下碘鎢燈(7)；所述上升降板 (4)和下升降板(5)的左、右端分別通過一個高度調整組件與反應腔(3)外表面相連，并可以在高度調整組件的作用下調整上、下升降板的高度，從而調整上、下升降板之間的間距；所述上、下升降板之間的區域為反應區，而下升降板(5)的上板面配設有多組不同厚度的所述襯底模板(8)，該襯底模板上的安裝孔用于放置相應厚度的襯底。