[實用新型]一種半導體硅環蝕刻裝置有效
| 申請號: | 201822180816.3 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN209357698U | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發明(設計)人: | 王武林 | 申請(專利權)人: | 捷碩(長泰)電力電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京市京大律師事務所 11321 | 代理人: | 劉瑋 |
| 地址: | 363000 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻液 半導體硅 循環泵開關 蝕刻裝置 循環液管 側表面 蓋體 輸出端電連接 內側表面 輸入端 循環泵 密封圈 本實用新型 工作效率 回收裝置 內部連通 上下兩端 外側表面 外置電源 觀察窗 觀察口 刻度線 上表面 鉸接 沖刷 觀察 加工 | ||
1.一種半導體硅環蝕刻裝置,包括蝕刻液箱(1),其特征在于:所述蝕刻液箱(1)的上表面鉸接有蓋體(2),蓋體(2)的內側表面設有密封圈(3),且蓋體(2)的側表面開設有觀察口,觀察口內設有觀察窗(8),蝕刻液箱(1)的內側表面設有刻度線(4),蝕刻液箱(1)的外側表面設有循環液管(5),循環液管(5)的上下兩端均與蝕刻液箱(1)內部連通,且循環液管(5)上設有循環泵(6),循環泵(6)的輸入端與循環泵開關(7)的輸出端電連接,循環泵開關(7)設置在蝕刻液箱(1)的側表面,循環泵開關(7)的輸入端與外置電源的輸出端電連接,蝕刻液箱(1)的側表面設有回收裝置。
2.根據權利要求1所述的一種半導體硅環蝕刻裝置,其特征在于:所述回收裝置包括設置在蝕刻液箱(1)側表面的排液管(15),排液管(15)上設有閥門(16)。
3.根據權利要求1所述的一種半導體硅環蝕刻裝置,其特征在于:所述蝕刻液箱(1)的側表面設有兩個固定卡塊(9),蓋體(2)的側表面鉸接有兩個與固定卡塊(9)對應的卡板(10),卡板(10)的側表面開設有通孔。
4.根據權利要求1所述的一種半導體硅環蝕刻裝置,其特征在于:所述蝕刻液箱(1)的側表面下部開設有滑槽(11),滑槽(11)內滑動連接有滑動盒(12)。
5.根據權利要求4所述的一種半導體硅環蝕刻裝置,其特征在于:所述滑動盒(12)的上表面設有安裝板(13),蝕刻液箱(1)的側表面開設有與安裝板(13)對應的凹槽(14)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





