[實用新型]多脈沖合束激光器有效
| 申請號: | 201822180712.2 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN209088260U | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發明(設計)人: | 孫寧;張放 | 申請(專利權)人: | 北京鐳寶光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01S3/10 | 分類號: | H01S3/10;H01S3/109 |
| 代理公司: | 北京市盛峰律師事務所 11337 | 代理人: | 席小東 |
| 地址: | 100015 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 合束 激光器 多脈沖 二分之一波片 近紅外激光器 擴束系統 偏振片 本實用新型 倍頻晶體 脈沖 激光誘導擊穿光譜 粒子圖像測速 多脈沖激光 模式一致性 激光脈沖 長波通 全反鏡 鏡片 應用 | ||
1.一種多脈沖合束激光器,其特征在于,所述多脈沖合束激光器為激光脈沖數為4n的多脈沖合束激光器;其中,n為大于1的自然數;所述多脈沖合束激光器包括n個脈沖合束單元;
每個所述脈沖合束單元包括第1近紅外激光器(1A)、第1二分之一波片(2A)、第1擴束系統(3A)、第1偏振片(4A)、第2近紅外激光器(1B)、第2擴束系統(3B)、第2偏振片(4B)、第2二分之一波片(5B)和第1全反鏡(7.1)、第3近紅外激光器(1C)、第3擴束系統(3C)、第3偏振片(4C)、第3二分之一波片(5C)、第4近紅外激光器(1D)、第4二分之一波片(2D)、第4擴束系統(3D)、第4偏振片(4D)、第1倍頻晶體(6.1)、第1長波通鏡片(8.1)和第2倍頻晶體(6.2);
所述第1近紅外激光器(1A)輸出第1基頻光,在所述第1近紅外激光器(1A)的輸出光路上,依次布置所述第1二分之一波片(2A)、第1擴束系統(3A)和所述第1偏振片(4A);
所述第2近紅外激光器(1B)輸出第2基頻光,在所述第2近紅外激光器(1B)的輸出光路上,依次布置所述第2擴束系統(3B)和所述第2偏振片(4B);同時,所述第2偏振片(4B)位于所述第1偏振片(4A)的反射光路上;第1基頻光經過第1二分之一波片(2A)和第1擴束系統(3A)后,入射到所述第1偏振片(4A),經所述第1偏振片(4A)反射到所述第2偏振片(4B),再經所述第2偏振片(4B)反射后輸出;第2基頻光經過第2擴束系統(3B)后,完全透射通過所述第2偏振片(4B),并與所述第2偏振片(4B)反射后輸出的第1路基頻光合束,形成第1合束基頻光;在第1合束基頻光的輸出光路上,依次布置所述第2二分之一波片(5B)和所述第1全反鏡(7.1);第1合束基頻光經過第2二分之一波片(5B)調整偏振態后,入射到所述第1全反鏡(7.1),經第1全反鏡(7.1)反射后輸出第1’合束基頻光;
所述第4近紅外激光器(1D)輸出第4基頻光,在所述第4近紅外激光器(1D)的輸出光路上,依次布置所述第4二分之一波片(2D)、所述第4擴束系統(3D)和所述第4偏振片(4D);
所述第3近紅外激光器(1C)輸出第3基頻光,在所述第3基頻光的輸出光路上,依次布置所述第3擴束系統(3C)和所述第3偏振片(4C);同時,所述第3偏振片(4C)位于所述第4偏振片(4D)的反射光路上;第4基頻光經過第4二分之一波片(2D)和第4擴束系統(3D)后,入射到所述第4偏振片(4D),經所述第4偏振片(4D)反射到所述第3偏振片(4C),再經所述第3偏振片(4C)反射后輸出;第3基頻光經過第3擴束系統(3C)后,完全透射通過所述第3偏振片(4C),并與所述第3偏振片(4C)反射后輸出的第4路基頻光合束,形成第2合束基頻光;在第2合束基頻光的輸出光路上,依次布置所述第3二分之一波片(5C)和所述第1倍頻晶體(6.1);第2合束基頻光經過第3二分之一波片(5C)后,透射通過所述第1倍頻晶體(6.1),形成第2合束倍頻光;
在第1’合束基頻光的光路和第2合束倍頻光的光路交叉位置,布置所述第1長波通鏡片(8.1);第1’合束基頻光透射通過所述第1長波通鏡片(8.1),形成第1”合束基頻光;第2合束倍頻光入射到所述第1長波通鏡片(8.1),經第1長波通鏡片(8.1)反射后,與1”合束基頻光合束,形成第3合束激光;在第3合束激光的傳播光路上,還設置第2倍頻晶體(6.2),所述第2倍頻晶體(6.2)將所述第3合束激光中的所述1”合束基頻光變為倍頻光,由此輸出第4合束倍頻激光。
2.根據權利要求1所述的一種多脈沖合束激光器,其特征在于,所述多脈沖合束激光器為激光脈沖數為4或8的多脈沖合束激光器。
3.根據權利要求1所述的一種多脈沖合束激光器,其特征在于,兩個脈沖合束單元之間通過第2長波通鏡片(8.2)合束。
4.根據權利要求1所述的一種多脈沖合束激光器,其特征在于,所述第1倍頻晶體(6.1)和所述第2倍頻晶體(6.2)為KTP倍頻晶體或KD*P倍頻晶體。
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