[實用新型]一種TMR全橋磁傳感器有效
| 申請號： | 201822175887.4 | 申請日： | 2018-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN209624756U | 公開（公告）日： | 2019-11-12 |
| 發明（設計）人： | 劉明;關蒙萌;胡忠強;王立乾;朱家訓 | 申請（專利權）人： | 珠海多創科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R33/09 | 分類號： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 廣東朗乾律師事務所 44291 | 代理人： | 楊煥軍 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市香洲區唐家*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 永磁層 矯頑場 磁傳感器 偏置場 制備 本實用新型 磁化方向 單一芯片 單元橋式 全橋結構 橋結構 自由層 充磁 磁矩 磁阻 生產工藝 敏感 響應 | ||
1.一種TMR全橋磁傳感器，包括：基片和設置于所述基片上的TMR單元，所述TMR單元包括自由層、釘扎層和隧道層，所述TMR單元的兩側設置有為其提供偏置場的永磁層，4組橋式連接的TMR單元形成全橋結構；
其特征在于：
所述TMR單元的釘扎層的磁矩方向相同，相鄰的TMR單元的自由層的磁矩方向相反，相對的TMR單元的自由層的磁矩方向相同。
2.如權利要求1所述的TMR全橋磁傳感器，其特征在于：所述永磁層包括第一永磁層和第二永磁層，第一永磁層的矯頑場和第二永磁層的矯頑場不同，4組TMR單元中，其中兩組相對的TMR單元的偏置場由第一永磁層提供，另外兩組相對的TMR單元的偏置場由第二永磁層提供。
3.如權利要求2所述的TMR全橋磁傳感器，其特征在于：所述第一永磁層和第二永磁層分別由兩種矯頑場不同的永磁材料沉積形成，或所述第一永磁層和第二永磁層分別由不同厚度的同一種永磁材料沉積形成。
4.一種TMR全橋磁傳感器，包括：基片和設置于所述基片上的4組TMR單元，4組TMR單元橋式連接形成全橋結構，所述TMR單元包括自由層、釘扎層和隧道層，所述TMR單元的釘扎層的磁矩方向相同，所述TMR單元的兩側設置有為其提供偏置場的永磁層；
其特征在于：
所述永磁層包括矯頑場互不相同的第一永磁層和第二永磁層，所述第一永磁層的磁化方向和第二永磁層的磁化方向相反，所述第一永磁層設置于兩組相對布置的TMR單元的兩側，所述第二永磁層設置于另外兩組相對布置的TMR單元的兩側。
5.如權利要求4所述的TMR全橋磁傳感器，其特征在于：所述第一永磁層和第二永磁層分別由兩種矯頑場不同的永磁材料沉積形成，或所述第一永磁層和第二永磁層分別由不同厚度的同一種永磁材料沉積形成。
6.一種TMR全橋磁傳感器，包括：基片、一次制備于所述基片上的4組TMR單元、設置于所述基片上的永磁層對，所述永磁層對為所述TMR單元提供偏置場；4組TMR單元橋式連接形成全橋結構；
其特征在于：
相鄰的TMR單元的永磁層對的矯頑場不同，相對的TMR單元的永磁層對的矯頑場相同。
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