[實用新型]高效MOS管驅動電路有效
| 申請號: | 201822175077.9 | 申請日: | 2018-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN209072448U | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發明(設計)人: | 吳玨 | 申請(專利權)人: | 中科芯集成電路股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/56 | 分類號: | H03K17/56 |
| 代理公司: | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 楊立秋 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市濱湖區蠡*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三極管 上橋驅動 導通 電阻 本實用新型 二極管 低電 高電 橋驅動信號 高效驅動 立體器件 門極電壓 外圍電路 下橋驅動 放電 門極 截止 傳輸 | ||
本實用新型涉及一種高效MOS管驅動電路,包括上橋驅動和下橋驅動;當上橋驅動信號為高電平時,三極管Q0B、三極管Q1B導通,15V電壓經過二極管D0B、三極管Q0B、二極管D1B、電阻R4B、電阻R12B傳輸到MOS管V1B和MOS管V2B的門極,MOS管導通。當上橋驅動信號為低電平時,三極管Q0B和三極管Q1B截止,MOS管門極電壓迅速通過電阻R10B、三極管Q2B放電,關閉MOS管。當下橋驅動信號為高電平時,三極管Q5B導通MOS管關閉,此信號為低電平時MOS管打開。本實用新型所述高效MOS管驅動電路,采用分立體器件搭建MOS管驅動電路,成本較低,且可以根據外圍電路調整相關器件,達到高效驅動MOS管電路。
技術領域
本實用新型涉及一種MOS管驅動電路,尤其是一種高效MOS管驅動電路,屬于電路技術領域。
背景技術
電機驅動器主要核心是MOS管驅動電路,行業上普遍使用集成驅動IC\IPM等驅動器件,此類器件價格較貴,且已固化,參數不可調整。
因此,提供一種MOS管驅動電路,以克服現有技術中器件成本較高, 參數不可調整的缺陷,就成為本領域技術人員亟待解決的技術問題。
發明內容
本實用新型的目的是克服現有技術中存在的不足,提供一種高效MOS管驅動電路,該MOS管驅動電路成本較低,能夠根據外圍電路調整相關器件,達到高效驅動MOS管電路。
按照本實用新型提供的技術方案,所述高效MOS管驅動電路,包括上橋驅動和下橋驅動,其特征是:
所述上橋驅動包括三極管Q1B,三極管Q1B的基極連接電阻R1B的一端,電阻R1B的另一端連接上橋驅動信號,三極管Q1B的發射極連接電阻R2B的一端,電阻R2B的另一端接地,三極管Q1B的集電極連接三極管Q0B的基極和電阻R0B的一端,三極管Q0B的發射極連接電阻R0B的另一端、電容C1B的一端和二極管D0B的負極,電容C1B的另一端連接下橋驅動,二極管D0B的正極連接電容C0B的一端和+15V電源,電容C0B的另一端接地,三極管Q0B的集電極連接電阻R3B的一端、三極管Q2B的基極和二極管D1B的正極,電阻R3B的另一端和三極管Q2B的集電極連接下橋驅動,二極管D1B的負極連接電阻R4B的一端,電阻R4B的另一端連接電阻R10B的一端、電容C2B的一端、電阻R12B的一端和電阻R14B的一端,電阻R10B的另一端連接三極管Q2B的發射極,電容C2B的另一端連接下橋驅動,電阻R12的另一端連接MOS管V1B的柵極,MOS管V1B的源極連接下橋驅動,MOS管V1B的漏極連接MOS管V2B的漏極,電阻R14B的另一端連接MOS管V2B的基極,MOS管V2B的源極連接下橋驅動;
所述下橋驅動包括三極管Q4B,三極管Q4B的基極連接+3.3V電源,三極管Q4B的發射極連接電阻R7B的一端,電阻R7B的另一端連接電阻R8B的一端和下橋驅動信號,電阻R8B的另一端連接三極管Q5B的基極,三極管Q4B的漏極連接電阻R6B的一端和三極管Q3B的基極,電阻R6B的另一端和三極管Q3B的發射極連接+15V電源,三極管Q3B的集電極連接電阻R9B的一阻,電阻R9B的另一端連接電阻R11B的一端、電容C3B的一端、電阻R13B的一端、電阻R15B的一端,電阻R11B的另一端連接三極管Q5B的集電極,三極管Q5B的發射極連接電容C3B的另一端、MOS管V3B的源極和MOS管V4B的源極,電阻R13B的另一端連接MOS管V3B的柵極,電阻R15B的另一端連接MOS管V4B的柵極,MOS管V3B的漏極和MOS管V4B的漏極分別連接上橋驅動。
進一步地,所述電MOS管V3B的漏極分別連接上橋驅動中電容C1B的另一端、電阻R3B的另一端、三極管Q2B的集電極、電容C2B的另一端、MOS管V1B的源極和MOS管V2B的源極。
進一步地,所述MOS管V4B的漏極分別連接上橋驅動中電容C1B的另一端、電阻R3B的另一端、三極管Q2B的集電極、電容C2B的另一端、MOS管V1B的源極和MOS管V2B的源極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中科芯集成電路股份有限公司,未經中科芯集成電路股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822175077.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種單火線通用智能開關
- 下一篇:光電開關結構





