[實用新型]光學傳感器結構有效
| 申請號: | 201822171484.2 | 申請日: | 2018-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN209104154U | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發明(設計)人: | 凌嚴;朱虹 | 申請(專利權)人: | 上海籮箕技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/217;H04N5/357;H04N5/369;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛異榮;吳敏 |
| 地址: | 200120 上海市浦東新區中*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學傳感器 感光像素 感測電路層 感光二極管 電性連接 像素單元 電容 非感光 基板 指紋 第一開關 開關器件 | ||
一種光學傳感器結構,包括:基板;位于基板上的指紋感測電路層,所述指紋感測電路層包括:若干感光像素單元;位于所述若干感光像素單元的側部的非感光像素單元;所述感光像素單元包括:感光二極管;與感光二極管電性連接的第一開關器件;所述非感光像素單元包括:電容;與所述電容電性連接的第二開關器件。所述光學傳感器結構的性能得到提高。
技術領域
本發明涉及傳感器領域,尤其涉及一種光學傳感器結構。
背景技術
光學傳感器是一種大面積的平面成像設備,由像素單元陣列、驅動線、信號讀出線等構成。帶有圖像信息的光信號直接投射到傳感器成像表面的各個像素單元,被傳感器的像素單元吸收而成像。由于不經過透鏡或光纖聚焦光,是同尺寸、無縮放比例的成像,因而會有更好的成像質量;同時成像設備也更加輕薄,所以已經大量應用于各個領域。
比如應用于指紋成像、文件掃描等領域的光學傳感器。各像素單元由開關器件和光電器件構成。可見光被光學傳感器的各像素單元中的光電器件轉化為電子信號存儲起來。系統控制器控制驅動單元上的驅動芯片,來控制光學傳感器上的驅動線,進而控制像素單元陣列的逐行開啟;同時系統控制器控制信號采集單元上的信號讀出芯片,通過光學傳感器上的信號線來讀取像素單元陣列中被開啟的那一行的電子信號,然后進行放大、模數轉化、存儲。最終實現一個與被照射物體表面特征直接相關的數字化灰階圖像。
然而,現有的光學傳感器的性能有待提高。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種光學傳感器結構,以提高光學傳感器的性能。
為解決上述問題,本發明提供一種光學傳感器,包括:基板;位于基板上的指紋感測電路層,所述指紋感測電路層包括:若干感光像素單元;位于所述若干感光像素單元的側部的非感光像素單元;所述感光像素單元包括:感光二極管;與感光二極管電性連接的第一開關器件;所述非感光像素單元包括:電容;與所述電容電性連接的第二開關器件。
可選的,所述基板包括感光區和非感光區,若干感光像素單元位于所述感光區上,非感光像素單元位于所述非感光區上;所述感光區包括有效感光區和第一開關區,感光二極管位于有效感光區上,第一開關器件位于第一開關區上;所述非感光區包括有效非感光區和第二開關區,所述電容位于有效非感光區上,第二開關器件位于第二開關區上;所述感光像素單元包括:位于基板第一開關區部分表面的第一導電層;位于有效感光區表面和第一開關區表面且覆蓋第一導電層的第一絕緣層;位于第一開關區的第一絕緣層部分表面的第一半導體層,且第一半導體層與第一開關區上的第一導電層相對;覆蓋第一半導體層的第二導電層,所述第二導電層內具有第一開口,第一開口的底部表面為第一半導體層的表面,且第二導電層還延伸至有效感光區的第一絕緣層表面;覆蓋第二導電層且填充滿第一開口的第二絕緣層;位于有效感光區的第二絕緣層內的第二開口,第二開口的底部為第二導電層的表面;填充在第二開口中且覆蓋在第二開口上的感光二極管,感光二極管還延伸至第二絕緣層的部分頂部表面,感光二極管的底部表面與第二導電層接觸;第三絕緣層,第三絕緣層覆蓋所述感光二極管的部分頂部表面、第二絕緣層上感光二極管的側壁以及第二絕緣層,第三絕緣層中具有位于感光二極管上的第三開口,第三開口的底部表面為感光二極管的表面;位于第三開口的內壁、以及第一開關區的第三絕緣層上的第一透明導電層;所述非感光像素單元包括:位于基板第二開關區部分表面的第三導電層;位于有效非感光區表面和第二開關區表面且覆蓋第三導電層的第四絕緣層;位于第二開關區的第四絕緣層部分表面的第二半導體層,且第二半導體層與第二開關區上的第三導電層相對;覆蓋第二半導體層的第四導電層,第四導電層內具有第四開口,第四開口的底部表面為第二半導體層的表面,且第四導電層還延伸至有效非感光區的第四絕緣層表面;覆蓋第四導電層且填充滿第四開口的絕緣結構層覆蓋絕緣結構層的第二透明導電層。
可選的,所述絕緣結構層為疊層結構;所述絕緣結構層包括:覆蓋第四導電層且填充滿第四開口的第五絕緣層;覆蓋第五絕緣層的第六絕緣層;所述第二透明導電層覆蓋第六絕緣層。
可選的,所述絕緣結構層為單層結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





